[发明专利]一种高效线偏振光的LED结构有效
| 申请号： | 201510290514.X | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104993039B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 云峰;张林昭;黄亚平 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 偏振光 led 结构 | ||
1.一种高效线偏振光的LED结构，其特征在于，包括GaN基的LED芯片、反射镜(5)、旋光物质结构(8)及若干条形结构的金属Al栅(7)，反射镜(5)及旋光物质结构(8)设于GaN基的LED芯片的下部，各金属Al栅(7)设于GaN基的LED芯片的上部，且各金属Al栅(7)从左到右依次平行分布；
所述GaN基的LED芯片为垂直结构的LED芯片、水平结构的LED芯片或倒装结构的LED芯片；
当所述GAN基的LED芯片为垂直结构的LED芯片时，各金属Al栅(7)及GAN基的LED芯片中的n电极(1)均设于GAN基的LED芯片中n型GaN层(2)的上表面，且金属Al栅(7)分布于GAN基的LED芯片中n电极(1)的两侧；反射镜(5)设于GAN基的LED芯片中衬底(6)与P型GaN层(4)之间，GAN基的LED芯片中P型GaN层(4)上与反射镜(5)相接触的面开设有若干圆柱形的凹槽，圆柱形的凹槽内填充有旋光物质，各圆柱形的凹槽内的旋光物质构成所述旋光物质结构(8)，相邻两个圆柱形的凹槽之间有间隙。
2.根据权利要求1所述的高效线偏振光的LED结构，其特征在于，所述圆柱形的凹槽的高度为50nm-400nm，位于GAN基的LED芯片中n电极(1)同一侧的相邻两个金属Al栅(7)左侧面之间的间距为80nm-300nm，各金属Al栅(7)的厚度为30nm-100nm。
3.根据权利要求1所述的高效线偏振光的LED结构，其特征在于，当所述GAN基的LED芯片为水平结构的LED芯片时，各金属Al栅(7)与GAN基的LED芯片中的p电极(9)均设于GAN基的LED芯片中P型GaN层(4)的上表面，旋光物质结构(8)与反射镜(5)自上到下依次设于GAN基的LED芯片中衬底(6)的下表面。
4.根据权利要求3所述的高效线偏振光的LED结构，其特征在于，相邻两个金属Al栅(7)左侧面之间的间距为80nm-300nm，各金属Al栅(7)的厚度为30nm-100nm，旋光物质结构(8)的厚度为50nm-400nm。
5.根据权利要求1所述的高效线偏振光的LED结构，其特征在于，当所述GAN基的LED芯片为倒装结构的LED芯片时，各金属Al栅(7)设于GAN基的LED芯片中衬底(6)的上表面，反射镜(5)设于GAN基的LED芯片中p电极(9)与P型GaN层(4)之间，GAN基的LED芯片中P型GaN层(4)上与反射镜(5)相接触的面开设有若干圆柱形的凹槽，圆柱形的凹槽内填充有旋光物质，各圆柱形的凹槽内的旋光物质构成所述旋光物质结构(8)，相邻两个圆柱形的凹槽之间有间隙。
6.根据权利要求5所述的高效线偏振光的LED结构，其特征在于，所述圆柱形的凹槽的高度为50nm-400nm，相邻两个金属Al栅(7)左侧面之间的间距为80nm-300nm，各金属Al栅(7)的厚度为30nm-100nm。
7.根据权利要求1所述的高效线偏振光的LED结构，其特征在于，所述反射镜(5)通过Ag、AL或DBR制作而成。
8.根据权利要求1所述的高效线偏振光的LED结构，其特征在于，所述旋光物质结构(8)由液晶材料、云母或石英晶体制作而成。
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