[发明专利]一种将超薄玻璃从承载基板剥离的方法有效
申请号: | 201510292470.4 | 申请日: | 2015-06-01 |
公开(公告)号: | CN104979284B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 左岳平;刘建宏;李良坚;马应海 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 玻璃 承载 剥离 方法 | ||
1.一种将超薄玻璃从承载基板剥离的方法,其特征在于,在承载基板上形成至少一个管状物件,和/或在所述承载基板上形成至少一条沟道;在所述承载基板与超薄玻璃之间形成粘贴层;该方法还包括:
通过至少一个所述管状物件的管口向所述管状物件通入剥离剂和/或通过至少一个所述沟道的沟道口向所述沟道通入所述剥离剂,以使通入的所述剥离剂与所述粘贴层接触;
在所述剥离剂与所述粘贴层进行化学反应后,将所述超薄玻璃从所述承载基板剥离。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述承载基板包括至少一个管状物件和至少一条沟道,且至少一个所述管状物件与至少一条所述沟道是相接触的。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,通过所述管状物件的管口向所述管状物件和所述沟道通入所述剥离剂。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,通过所述沟道的沟道口向所述沟道和所述管状物件通入所述剥离剂。
5.如权利要求1~4任一所述的方法,其特征在于,所述管状物件和所述沟道包括弯曲的部分和/或笔直的部分。
6.如权利要求1~4任一所述的方法,其特征在于,所述管状物件包括碳纳米管或氧化锌纳米管。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述碳纳米管的孔径为1nm~50nm,所述氧化锌纳米管的孔径为100nm~500nm。
8.如权利要求1~4任一所述的方法,其特征在于,所述沟道为贯穿性的沟道;
所述管状物件为贯穿性的管状物件。
9.如权利要求1~4任一所述的方法,其特征在于,所述沟道的深度为50nm~500nm,宽度小于3um。
10.如权利要求1~4任一所述的方法,其特征在于,当所述承载基板包括至少两条沟道时,任一一条所述沟道与至少一条其它的所述沟道连通。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述沟道形成六边形网格。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,形成的所述六边形网格的沟道具有圆形区域。
13.如权利要求1~4任一所述的方法,其特征在于,所述剥离剂为液体或气体。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述液体剥离剂为含氟液体或所述气体剥离剂为含氟气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造