[发明专利]制造复合补偿游丝的方法

权利要求书

1.一种制造复合补偿游丝(31,41)的方法，包括如下步骤：

a)取用由第一材料制成的第一晶片(1)；

b)取用由至少一种第二材料制成的至少一个第二晶片(3,3')，所述第二材料的杨氏模量随温度的变化(TEC)与所述第一材料的杨氏模量随温度的变化(TEC)异号；

c)将所述第一晶片(1)接合至所述至少一个第二晶片(3,3')以使得所述第一晶片和所述至少一个第二晶片彼此面对面地叠置，以形成衬底(2,2')；

d)穿过所述衬底(2,2')刻蚀图案(4)以形成复合补偿游丝(31,41)，所述复合补偿游丝包括由所述第一材料构成的第一厚度(E₁)和由所述至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度(E₂，E'₂)；

e)从所述衬底(2,2')释放所述复合补偿游丝(31,41)。

2.一种制造复合补偿游丝(31，41)的方法，包括如下步骤：

a)取用由第一材料制成的第一晶片(11)；

b)取用由至少一种第二材料制成的至少一个第二晶片(13,13')，所述第二材料的杨氏模量随温度的变化(TEC)与所述第一材料的杨氏模量随温度的变化(TEC)异号；

d')穿过每一晶片(13,11,13')刻蚀相同图案(14,16,16')；

c')将第一晶片(11)接合至所述至少一个第二晶片(13,13')以形成衬底(12,12')，并且通过叠置所述相同图案(14,16,16')形成复合补偿游丝(31，41)，所述复合补偿游丝包括由所述第一材料构成的第一厚度(E₁)和由所述至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度(E₂，E'₂)；

e)从所述衬底(12,12')释放所述复合补偿游丝(31,41)。

3.一种制造复合补偿游丝(31,41)的方法，包括如下步骤：

a)取用由第一材料制成的第一晶片(21)；

b)取用由至少一种第二材料制成的至少一个第二晶片(23,23')，所述第二材料的杨氏模量随温度的变化(TEC)与所述第一材料的杨氏模量随温度的变化(TEC)异号；

f)在每一晶片(23,21,23')中的仅部分厚度上刻蚀相同图案(24,26,26')；

g)将第一晶片(21)接合至所述至少一个第二晶片(23,23')，以通过叠置所述相同图案(24,26,26')形成衬底(22,22')；

f')在衬底(22,22')的剩余部分上刻蚀相同图案(24,26,26')以形成复合补偿游丝(31,41)，所述复合补偿游丝包括由所述第一材料构成的第一厚度(E₁)和由所述至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度(E₂,E'₂)；

e)从所述衬底(22,22')释放所述复合补偿游丝(31,41)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一材料和/或所述至少一种第二材料是硅基的。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一材料和/或至少一种硅基的第二材料包括单晶硅、掺杂单晶硅、多晶硅、掺杂多晶硅、多孔硅、氧化硅、石英、硅石、氮化硅或碳化硅。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一材料和/或所述至少一种第二材料是陶瓷基的。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一材料和/或至少一种陶瓷基的第二材料包括可光构造玻璃、硼硅酸盐、铝硅酸盐、石英玻璃、微晶玻璃、矾土、氧化铝、氮化铝、氧化锆、氧化钛、氮化钛、碳化钛、氮化钨、碳化钨、氮化硼或碳化硼。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一材料和/或至少一种陶瓷基的第二材料包括单晶刚玉或多晶刚玉。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一材料和/或至少一种陶瓷基的第二材料包括单晶红宝石或多晶红宝石。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一材料和/或所述至少一种第二材料是金属基的。