[发明专利]制造复合补偿游丝的方法有效

专利信息
申请号: 201510294325.X 申请日: 2015-06-02
公开(公告)号: CN105182721B 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: T·黑塞勒 申请(专利权)人: 斯沃奇集团研究和开发有限公司
主分类号: G04B17/06 分类号: G04B17/06
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 吴鹏,马江立
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 复合 补偿 游丝 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种制造复合补偿游丝的方法,且特别地,该游丝用于与摆轮协作以形成热补偿谐振器,即其频率对温度变化不敏感或几乎不敏感。

背景技术

欧洲专利No.1422436公开了一种游丝,其由硅制成并且涂覆有二氧化硅以使热系数在瑞士官方天文台检测机构(COSC)测试温度附近、即在+8和-38℃之间的温度下基本为0。通常,通过使硅芯部氧化而获得氧化硅,这使得补偿游丝的工业化生产成为可能。

然而,其它材料副是可以设想的,但更难使彼此固定,并且因此更难于生产。

发明内容

本发明的目的是通过提出用于制造复合补偿游丝的替代方法以克服上述缺陷中的全部或部分,所述复合补偿游丝与具有二氧化硅的单纯的硅相比允许更大可能的材料范围。

为此,根据第一实施例,本发明涉及一种制造复合补偿游丝的方法,其包括如下步骤:

a)取用由第一材料制成的第一晶片;

b)取用由至少一种第二材料制成的至少一个第二晶片,所述第二材料的杨氏模量随温度的变化与所述第一材料的杨氏模量随温度的变化异号;

c)将第一晶片接合或结合至所述至少一个第二晶片以形成衬底;

d)穿过衬底刻蚀图案以形成复合补偿游丝,所述复合补偿游丝包括由所述第一材料构成的第一厚度和由所述至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度;

e)从所述衬底释放复合补偿游丝。

另外,根据第二实施例,本发明涉及一种制造复合补偿游丝的方法,其包括如下步骤:

a)取用由第一材料制成的第一晶片;

b)取用由至少一种第二材料制成的至少一个第二晶片,所述第二材料的杨氏模量随温度的变化与所述第一材料的杨氏模量随温度的变化异号;

d')穿过每一晶片刻蚀相同图案;

c')将第一晶片接合或结合至所述至少一个第二晶片以形成衬底,并且通过叠置所述相同图案形成复合补偿游丝,所述复合补偿游丝具有由所述第一材料构成的第一厚度和由所述至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度;

e)从所述衬底释放复合补偿游丝。

最后,根据第三实施例,本发明涉及一种制造复合补偿游丝的方法,其包括如下步骤:

a)取用由第一材料制成的第一晶片;

b)取用由至少一种第二材料制成的至少一个第二晶片,所述第二材料的杨氏模量随温度的变化与所述第一材料的杨氏模量随温度的变化异号;

f)在每一晶片的仅部分厚度上刻蚀相同图案;

g)将第一晶片接合或结合至所述至少一个第二晶片,以通过叠置所述相同图案形成衬底;

f')在衬底的剩余部分中刻蚀所述相同图案以形成复合补偿游丝,所述复合补偿游丝包括由所述第一材料构成的第一厚度和由所述至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度;

e)从衬底释放复合补偿游丝。

根据本发明有利地,可因而使用多种材料以工业化的方式形成复合补偿游丝。取决于所使用的材料,可以使用三个实施例中的至少一个来制造复合补偿游丝,所述复合补偿游丝包括由所述第一材料构成的第一厚度E1和由所述至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度E2

根据本发明的其它有利变型:

-第一材料和/或所述至少一种第二材料是硅基的,并且包括单晶硅、掺杂单晶硅、多晶硅、掺杂多晶硅、多孔硅、氧化硅、石英、硅石、氮化硅或碳化硅。

-第一材料和/或所述至少一种第二材料是陶瓷基的,并且包括可光构造玻璃(photostructurable glass)、硼硅酸盐、铝硅酸盐、石英玻璃、微晶玻璃(zerodur)、单晶刚玉、多晶刚玉、矾土、氧化铝、氮化铝、单晶红宝石、多晶红宝石、氧化锆、氧化钛、氮化钛、碳化钛、氮化钨、碳化钨、氮化硼或碳化硼;

-第一材料和/或所述至少一种第二材料是金属基的,并且包括铁合金、铜合金、镍或镍合金、钛或钛合金、金或金合金、银或银合金、铂或铂合金、钌或钌合金、铑或铑合金、或者钯或钯合金;

-在同一衬底上形成多个复合补偿游丝。

附图说明

本发明的其它特征和优点将从参照附图以非限制性示出方式给出的以下描述中更加清楚地显现,在附图中:

-图1至图3是本发明的使用两个晶片的第一实施例的步骤图;

-图4至图6是本发明的使用两个晶片的第二实施例的步骤图;

-图7至图10是本发明的使用两个晶片的第三实施例的步骤图;

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