[发明专利]一种菊芋组培繁殖方法

权利要求书

1.一种菊芋组培繁殖方法，其特征在于，包括如下步骤：

对外植体进行消毒处理；

将所述外植体接种至愈伤组织诱导培养基，在23℃-25℃下，暗培养至出现愈伤组织，其中，所述愈伤组织诱导培养基为添加有0.8mg/L-1.6mg/L 6-苄氨基腺嘌呤和0.2mg/L-0.5mg/L萘乙酸的MS培养基；

取所述愈伤组织，将其切成小块，转接至不定芽诱导培养基中，在23℃-25℃下，光照培养至长出不定芽，其中，所述不定芽诱导培养基为添加有1.0mg/L-2.0mg/L 6-苄氨基腺嘌呤和0.1mg/L-0.3mg/L萘乙酸的MS培养基；

将所述不定芽转移至继代培养基中，在23℃-25℃下，光照培养20-25天，形成继代苗，其中，所述继代培养基为添加有1.5mg/L-2.0mg/L 6-苄氨基腺嘌呤的MS培养基；

将所述继代苗转入生根培养基中，在23℃-25℃下，光照培养15-20天，形成生根的组培苗，其中，所述生根培养基为添加有0.2mg/L-0.6mg/L吲哚丁酸的1/2MS培养基；

取出所述生根的组培苗，洗去所述组培苗的根部的生根培养基，栽入基质中，再移栽至大田。

2.如权利要求1所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，所述外植体为菊芋的块茎、茎段或叶片。

3.如权利要求2所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，当所述外植体为块茎时，对所述外植体进行消毒处理的方法如下：

将所述块茎采用自来水冲洗，接着采用清洗液浸泡，再用自来水冲洗干净，去皮，切去芽点部分，并用无菌水冲洗，切块后采用0.1％升汞灭菌7min-8min，再采用无菌水冲洗干净。

4.如权利要求2所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，当所述外植体为茎段时，对所述外植体进行消毒处理的方法如下：

将所述茎段采用自来水洗净，接着采用无菌水冲洗，切段后采用0.1％升汞灭菌5min-6min，接着采用无菌水冲洗干净。

5.如权利要求2所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，当所述外植体为叶片时，对所述外植体进行消毒处理的方法如下：

将所述叶片采用自来水洗净，接着采用无菌水冲洗，然后将所述叶片剪成条状，再采用0.1％升汞灭菌4min-5min，接着采用无菌水冲洗干净。

6.如权利要求1所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，所述愈伤组织诱导培养基中还可添加0.1mg/L-0.5mg/L的2,4-二氯苯氧乙酸。

所述继代培养基中还可添加0.1mg/L-0.3mg/L的萘乙酸。

7.如权利要求1所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，所述取所述愈伤组织，将其切成小块，转接至不定芽诱导培养基中，在23℃-25℃下，光照培养至长出不定芽的步骤中，光照时间为14h/d-16h/d，光照强度为600lux-1500lux。

8.如权利要求1所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，所述将所述不定芽转移至继代培养基中，在23℃-25℃下，光照培养20-25天，形成继代苗的步骤中，光照时间为14h/d-16h/d，光照强度为600lux-1500lux。

9.如权利要求1所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，将所述继代苗转入生根培养基中，在23℃-25℃下，光照培养15-20天，形成生根的组培苗的步骤中，光照时间为14h/d-16h/d，光照强度为600lux-1500lux。

10.如权利要求1所述的菊芋组培繁殖方法，其特征在于，所述基质为质量比1：3：1的泥炭土、土壤和有机肥的混合物或质量比1：1的草炭土和蛭石的混合物。