[发明专利]一种菊芋组培繁殖方法在审
申请号: | 201510297967.5 | 申请日: | 2015-06-03 |
公开(公告)号: | CN104885947A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 李莉莉;秦松;任鹏鸿;焦绪栋;崔玉琳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院烟台海岸带研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 宋鹰武;沈祖锋 |
地址: | 264003 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 菊芋 繁殖 方法 | ||
技术领域
本发明涉及植物组织培养领域,尤其涉及一种菊芋组培繁殖方法。
背景技术
菊芋(Helianthus tuberosus L.),又称洋姜、鬼子姜、五星草等,是菊科(Compositae)向日葵属的多年生草本植物,原产北美,经欧洲传入我国。菊芋块茎质地细密、脆嫩、可食用或做酱菜,嫩叶是一种营养丰富的青饲料。由于其所具有的独特药用保健功效和诸多的加工用途,被联合国粮农组织称为“21世纪人畜共用作物”,开发前景十分广阔。菊芋性喜清凉干燥的气候,喜光照忌炎热,根系发达,有很强耐旱能力,并且在沙漠治理和水土保持方面体现出良好的生态价值。
菊芋的利用价值主要体现在产量高的块茎上。菊芋块茎肥大,淡黄褐色,肉白色。单个的新鲜块茎重50~70g,含水量79.8%,碳水化合物16.6%,蛋白质1%,脂肪1%,粗纤维0.6%,灰分2.8%,还含有一定量的硫胺素、核黄素、尼克酸和抗坏血酸,所含的微量元素钙、磷、铁等为根茎类蔬菜之最。此外,菊芋还富含菊糖、葡萄糖和多聚戊糖以及维生素C、维生素B1、维生素E、钾、镁和丙氨酸等。菊芋块茎含有丰富菊糖(inulin,又称菊粉),为多聚果糖,不同于其它植物体内储藏的淀粉——多聚葡萄糖。
近年来,菊芋以其极强的抗逆性,显著的保健效果,广泛的用途得到了越来越多人的关注。菊芋相关的研究也逐渐丰富,目前国内外相关研究已涉及育种、栽培、生理生化、分子生物学及综合利用等多个方面。一般情况下菊芋在大田中的繁殖方式为无性繁殖,块茎长期生长于地下,容易受到多种病毒的侵害,会导致大量病毒病的积累,最终导致品种的劣化和产量的逐年降低。因此建立和完善菊芋组培快繁技术是解决这一问题的重要途径。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种能够建立菊芋组培快繁的菊芋组培繁殖方法。
一种菊芋组培繁殖方法,包括如下步骤:
对外植体进行消毒处理;
将所述外植体接种至愈伤组织诱导培养基,在23℃-25℃下,暗培养至出现愈伤组织,其中,所述愈伤组织诱导培养基为添加有0.8mg/L-1.6mg/L 6-苄氨基腺嘌呤和0.2mg/L-0.5mg/L萘乙酸的MS培养基;
取所述愈伤组织,将其切成小块,转接至不定芽诱导培养基中,在23℃-25℃下,光照培养至长出不定芽,其中,所述不定芽诱导培养基为添加有1.0mg/L-2.0mg/L 6-苄氨基腺嘌呤和0.1mg/L-0.3mg/L萘乙酸的MS培养基;
将所述不定芽转移至继代培养基中,在23℃-25℃下,光照培养20-25天,形成继代苗,其中,所述继代培养基为添加有1.5mg/L-2.0mg/L 6-苄氨基腺嘌呤的MS培养基;
将所述继代苗转入生根培养基中,在23℃-25℃下,光照培养15-20天,形成生根的组培苗,其中,所述生根培养基为添加有0.2mg/L-0.6mg/L吲哚丁酸的1/2MS培养基;
取出所述生根的组培苗,洗去所述组培苗的根部的生根培养基,栽入基质中,再移栽至大田。
在其中一个实施例中,所述外植体为菊芋的块茎、茎段或叶片。
在其中一个实施例中,当所述外植体为块茎时,对所述外植体进行消毒处理的方法如下:
将所述块茎采用自来水冲洗,接着采用清洗液浸泡,再用自来水冲洗干净,去皮,切去芽点部分,并用无菌水冲洗,切块后采用0.1%升汞灭菌7min-8min,再采用无菌水冲洗干净。
在其中一个实施例中,当所述外植体为茎段时,对所述外植体进行消毒处理的方法如下:
将所述茎段采用自来水洗净,接着采用无菌水冲洗,切段后采用0.1%升汞灭菌5min-6min,接着采用无菌水冲洗干净。
在其中一个实施例中,当所述外植体为叶片时,对所述外植体进行消毒处理的方法如下:
将所述叶片采用自来水洗净,接着采用无菌水冲洗,然后将所述叶片剪成条状,再采用0.1%升汞灭菌4min-5min,接着采用无菌水冲洗干净。
在其中一个实施例中,所述愈伤组织诱导培养基中还可添加0.1mg/L-0.5mg/L的2,4-二氯苯氧乙酸。
所述继代培养基中还可添加0.1mg/L-0.3mg/L的萘乙酸。
在其中一个实施例中,所述取所述愈伤组织,将其切成小块,转接至不定芽诱导培养基中,在23℃-25℃下,光照培养至长出不定芽的步骤中,光照时间为14h/d-16h/d,光照强度为600lux-1500lux。
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