[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，包括：

具有表面且由SiC构成的半导体层；

形成于所述半导体层的表层部的第一导电型的基体区域；

隔着栅极绝缘膜而与所述基体区域对置的栅电极；

形成于所述半导体层的表层部，且形成所述半导体层的所述表面的第二导电型的源极区域；

形成于所述半导体层的所述表面上，并与所述源极区域接触的源极配线；

从所述半导体层的表面挖下且在其内表面上形成有所述栅极绝缘膜的栅极沟槽；

从所述半导体层的所述表面挖下以成为深度与所述栅极沟槽相同的源极沟槽；

以覆盖所述栅电极的方式形成的绝缘膜；以及

相对于所述基体区域而形成于所述半导体层的背面侧的第一导电型的漏极区域，

所述源极配线具有在所述半导体层的表面上与所述源极区域相接且与所述漏极区域相接的构造，

所述源极配线以从所述绝缘膜上跨所述源极沟槽的方式形成，

所述源极配线包括以在所述源极沟槽内具有凹部的方式沿着所述源极沟槽的内表面形成的多晶硅层，

所述源极配线包括金属层，该金属层填满所述多晶硅层的所述凹部且该金属层的上表面被平坦化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多晶硅层为掺杂有10¹⁹～10²¹cm^-3的浓度的杂质的高浓度掺杂层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多晶硅层与所述金属层之间设置含有钛的层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述金属层具有含Al的层，

所述含有钛的层具有从所述多晶硅层侧起依次层叠Ti层及TiN层的构造。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多晶硅层中掺杂有从B、P、Al、N构成的组中选择的至少一种导电性杂质。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述基体区域包括形成在所述源极沟槽的侧面的基体接触区域，

所述源极配线的所述多晶硅层在所述源极沟槽内与所述基体接触区域以及所述源极区域接触。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述栅极绝缘膜由含有氮的绝缘材料构成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述栅极绝缘膜具有所述栅极沟槽的底面上的部分的第一厚度和所述栅极沟槽的侧面上的部分的第二厚度，

所述第一厚度相对于所述第二厚度的比、即第一厚度/第二厚度为0.1～0.8。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体层的表面为Si面，背面为C面。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述源极沟槽贯通所述源极区域及所述基体区域，且其最深部到达所述漏极区域，

所述多晶硅层与所述漏极区域欧姆接触。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还包括漏极配线，所述漏极配线形成在所述半导体层的背面，至少具有多晶硅层和金属层，且具有通过以使该多晶硅层与所述漏极区域相接的方式依次层叠所述多晶硅层和所述金属层而得到的多层构造。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

所述漏极配线的所述多晶硅层的厚度为

所述漏极配线的所述金属层的厚度为0.5～1μm。