[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜形成在所述半导体衬底上；

第一布线和用于电容器的下电极，所述第一布线和所述下电极形成在所述第一层间绝缘膜上并且彼此隔开；

用于所述电容器的上电极，所述上电极形成在所述第一层间绝缘膜上以便至少部分地覆盖所述下电极；

用于所述电容器的电容绝缘膜，所述电容绝缘膜插入在所述下电极和所述上电极之间；

第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜形成在所述第一层间绝缘膜上，以便覆盖所述第一布线、所述下电极、所述电容绝缘膜以及所述上电极；

第一接触插塞，所述第一接触插塞掩埋在所述第一层间绝缘膜中，所述第一接触插塞位于所述下电极下方并且电耦接至所述下电极；

第二接触插塞，所述第二接触插塞掩埋在所述第二层间绝缘膜中，所述第二接触插塞位于所述上电极上并且电耦接至所述上电极；以及

第三接触插塞，所述第三接触插塞掩埋在所述第二层间绝缘膜中，所述第三接触插塞位于所述第一布线上并且电耦接至所述第一布线，

其中，所述第一布线和所述上电极由一层中的导电膜图案形成，并且

其中，所述第二接触插塞位于所述上电极的在平面图中与所述下电极不重叠的部分上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，将被掩埋在所述第二层间绝缘膜中并且耦接至所述上电极的接触插塞不形成在所述上电极的在平面图中与所述下电极重叠的部分上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一布线是包含铝作为主要成分的铝布线，并且

其中，所述下电极由具有比铝的熔点高的熔点的材料制成。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述下电极是氮化钛膜、钛膜、氮化钽膜或钽膜。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一布线和所述上电极每个都为层叠膜，所述层叠膜包括第一氮化钛膜、在所述第一氮化钛膜上的铝基主导电膜以及在所述主导电膜上的第二氮化钛膜，并且

其中，所述下电极是氮化钛膜。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述下电极包含在所述电容绝缘膜中，并且所述电容绝缘膜包含在所述上电极中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述下电极具有与所述上电极重叠的部分以及与所述上电极不重叠的部分，并且

其中，在平面图中，将被掩埋在所述第二层间绝缘膜中并且耦接至所述下电极的接触插塞不形成在所述下电极的与所述上电极不重叠的部分上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括形成在所述第二层间绝缘膜上的电阻器，

其中，所述电阻器和所述下电极由一层中的导电膜图案形成，

其中，掩埋在所述第一层间绝缘膜中的第四接触插塞位于所述电阻器下方并且电耦接至所述电阻器，并且

其中，将被掩埋在所述第二层间绝缘膜中并且耦接至所述电阻器的接触插塞不形成在所述电阻器上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下电极的厚度小于所述第一布线的厚度。