[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请交叉引用

将2014年6月4日提交的日本专利申请No.2014-116279的公开内容，包括说明书、附图和摘要整体并入本文作为参考。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件且更特别地涉及一种具有电容器的半导体器件。

背景技术

通过在半导体衬底上形成MISFET和电容器并且通过布线互连元件来制造各种半导体器件。在电容器中，存在MIM电容器。

日本未审专利申请公布No.2001-313370、2004-119461以及2004-266005描述了用于具有MIM电容器的半导体器件的技术。

发明内容

希望提高具有电容器的半导体器件的可靠性。

本说明书和附图的以下详细说明将使本发明的上述和其他方面和新颖特征更加全面的体现。

根据本发明的一个方面，提供一种半导体器件，其包括形成在半导体衬底上的第一层间绝缘膜上的第一布线和电容器，以及形成在第一层间绝缘膜上以便覆盖第一布线和电容器的第二层间绝缘膜。电容器包括：形成在第一层间绝缘膜上的下电极；形成在第一层间绝缘膜上以便至少部分地覆盖下电极的上电极；以及插入在下电极和上电极之间的电容绝缘膜。第一布线和上电极由一层中的导电膜图案形成。半导体器件进一步包括位于下电极下方并电耦接至下电极的第一接触插塞，位于上电极上或上电极下方并电耦接至上电极的第二接触插塞，以及位于第一布线上并电耦接至第一布线的第三接触插塞。第二接触插塞位于上电极的在平面图中与下电极不重叠的部分上或该部分下方。

根据本发明，可提高半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例的半导体器件的基本部分的截面图；

图2是根据第一实施例的半导体器件的基本部分的平面图；

图3是根据第一实施例的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图4是图3的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图5是图4的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图6是图5的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图7是图6的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图8是图7的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图9是图8的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图10是图9的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图11是图10的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图12是图11的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图13是图12的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图14是图13的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图15是图14的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图16是图15的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图17是图16的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图18是图17的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图19是图18的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图20是图19的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图21是图20的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图22是图21的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图23是图22的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图24是图23的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图25是作为比较实例的半导体器件的基本部分的截面图；

图26是根据本发明第二实施例的半导体器件的基本部分的截面图；

图27是根据第二实施例的半导体器件的基本部分的平面图；

图28是根据第二实施例的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图29是图28的步骤之后的制造步骤中的半导体器件的基本部分的截面图；

图30是根据本发明第三实施例的半导体器件的基本部分的截面图；