[发明专利]一种氧化物半导体TFT阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在不破坏真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层；

在所述透明导电层上形成源漏金属层；

通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形；其中，所述通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形具体包括：通过一次构图工艺形成源漏电极的图形、透明导电层的图形以及有源层的图形；

所述通过一次构图工艺形成源漏电极的图形、透明导电层的图形以及有源层的图形，具体包括：

在所述源漏金属层上形成光刻胶层；

采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光并显影；

通过刻蚀工艺保留所述源漏金属层用于形成源漏电极的区域和所述源漏金属层处于像素单元有效显示区域内的部位；

对曝光显影后剩余的所述光刻胶层进行灰化工艺，以露出所述源漏金属层中用于形成沟道的区域；

采用刻蚀工艺对所述源漏金属层露出的部位进行刻蚀，形成沟道；

并沿所述透明导电层的厚度方向对所述沟道区域内的所述透明导电层进行部分刻蚀；

对剩余的所述光刻胶层进行二次灰化，将所述源漏金属层中处于用于与数据线连接的漏电极的部位以外的区域露出；

采用刻蚀工艺去除所述源漏金属层中用于与数据线连接的漏电极的部位以外的区域；

采用刻蚀工艺将所述沟道内剩余的所述透明导电层刻蚀去除。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述在不破坏真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层之前还包括：

在衬底基板上形成栅金属层，并通过一次构图工艺形成栅极的图形。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形之后还包括：

形成栅金属层，并通过一次构图工艺形成栅极的图形。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形之后还包括：

在所述透明导电层上形成源漏金属层；

通过一次构图工艺形成源漏电极的图形。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在不破坏真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层之前，还包括：

在衬底基板上形成源漏金属层；

通过一次构图工艺形成源漏电极的图形。

6.一种采用权利要求1-5任一项所述的制备方法制备的阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、氧化物半导体有源层、用于形成像素电极的透明导电层，其中，所述氧化物半导体有源层和所述透明导电层为在不破坏真空条件下连续沉积形成的氧化物半导体有源层和透明导电层。