[发明专利]一种氧化物半导体TFT阵列基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器设计领域，特别涉及一种氧化物半导体TFT阵列基板及其制备方法。

背景技术

TFT(Thin-Film-Transistor，薄膜晶体管)是液晶显示装置中的重要组成部分。目前，在TFT技术中，有源层多采用非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)等半导体材料。随着显示技术的发展，对显示面板的大尺寸化和高分辨率的要求越来越高。非晶硅材料由于其迁移率较低(0.5～0.8cm²/V·s)，在大尺寸、高分辨率、高响应速度的面板上使用时越来越受到限制。多晶硅材料虽然迁移率很高(>10cm²/V·s)，但是由于多晶硅制造显示面板工艺复杂，且制造大尺寸面板工艺不成熟，限制了其在大尺寸、高分辨率显示面板中的使用。氧化物半导体迁移率较高(>10cm²/V·s)，且适合制造大尺寸显示面板，具有良好的应用发展前景。

现有的氧化物半导体TFT阵列基板在制造中，因受现有工艺影响，氧化物半导体层会长时间暴露在环境中，降低了其导电性能，且氧化物半导体层与源漏极之间的接触电阻较大，导致其显示装置的驱动电压较高、功耗较高，同时降低了产品的使用稳定性。

发明内容

本发明提供了一种氧化物半导体TFT阵列基板及其制备方法，该制备方法避免了在制造过程中氧化物半导体长时间暴露在环境中导致的器件信耐度下降，且降低了氧化物半导体层与源漏极之间的接触电阻，从而提高了氧化物半导体层的导通电流，进而降低了其显示装置的驱动电压和功耗，并提高了产品的使用稳定性。

为实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：

一种氧化物半导体TFT阵列基板的制备方法，包括：

在不破坏真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层；

通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形。

采用上述制备方法制备氧化物半导体TFT阵列基板时，氧化物半导体有源层和透明导电层在不破坏真空条件下依次形成，因此，透明导电层能够对氧化物半导体有源层进行保护，避免了氧化物半导体长时间暴露在环境中导致的器件信耐度下降，且透明导电层与氧化物半导体有源层直接接触，降低了接触电阻，从而提高了氧化物半导体层的导通电流，进而降低了其显示装置的驱动电压和功耗，并提高了产品的使用稳定性。

优选地，在不破坏真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层之前还包括：

在衬底基板上形成栅金属层，并通过一次构图工艺形成栅极的图形。

优选地，在通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形之后还包括：

形成栅金属层，并通过一次构图工艺形成栅极的图形。

优选地，在不破真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层之后、且在通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形之前还包括：

在透明导电层上形成源漏金属层；

优选地，通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形具体包括：

通过一次构图工艺形成源漏电极的图形、透明导电层的图形以及有源层的图形。

优选地，上述通过一次构图工艺形成源漏电极的图形、透明导电层的图形以及有源层的图形，具体包括：

在源漏金属层上形成光刻胶层；

采用半色调掩膜板对光刻胶层进行曝光并显影；

通过刻蚀工艺保留源漏金属层用于形成源漏电极的区域和源漏金属层处于像素单元有效显示区域内的部位；

对曝光显影后剩余的光刻胶层进行灰化工艺，以露出源漏金属层中用于形成沟道的区域；

采用刻蚀工艺对源漏金属层露出的部位进行刻蚀，形成沟道；

并沿所述透明导电层的厚度方向对沟道区域内的透明导电层进行部分刻蚀；

对剩余的光刻胶层进行二次灰化，将源漏金属层中处于用于与数据线连接的漏电极的部位以外的区域露出；

采用刻蚀工艺去除源漏金属层中用于与数据线连接的漏电极的部位以外的区域；

采用刻蚀工艺将沟道内剩余的透明导电层刻蚀去除。

优选地，在通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形之后还包括：

在透明导电层上形成源漏金属层；

通过一次构图工艺形成源漏电极的图形。

优选地，在不破坏真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层之前，还包括：

在衬底基板上形成源漏金属层；

通过一次构图工艺形成源漏电极的图形。