[发明专利]发光二极管芯片及发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

发光二极管芯片，其包括发光二极管部及与所述发光二极管部反并联连接的保护二极管部；及

透镜，其位于所述发光二极管芯片上；

所述透镜包括：

下部面，其形成有下部凹陷部，所述下部凹陷部定义供从所述发光二极管芯片释放的光入射的入射面；及

上部面，其定义供所述光射出的面，形成有上部凹陷部；

所述发光二极管芯片配置于所述下部凹陷部的下方或其内部，所述发光二极管芯片的所述保护二极管部位于所述上部凹陷部的下方，

所述发光二极管部及所述保护二极管部分别包括：

第一导电型半导体层；以及

台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括第二导电型半导体层与活性层，

所述台面包括位于所述发光二极管部的第一台面以及位于所述保护二极管部的第二台面，且所述台面的侧面具有倾斜形状，

所述发光二极管部的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层，分别与所述保护二极管部的第二导电型半导体层及第一导电型半导体层电连接，

所述发光二极管芯片包括：

第二型接触电极，其位于所述第一台面及所述第二台面上；

第一绝缘层，其覆盖所述第二型接触电极、所述发光二极管部及所述保护二极管部，且包括使所述第一导电型半导体层部分地露出的第一开口部和使所述第二型接触电极部分地露出的第二开口部；

第一型焊垫电极，其至少部分地覆盖所述第一绝缘层，通过所述第一开口部而电连接于所述发光二极管部的第一导电型半导体层，通过所述第二开口部而电连接于所述保护二极管部上的所述第二型接触电极；及

第二型焊垫电极，其通过所述第一开口部而电连接于所述保护二极管部的第一导电型半导体层，通过所述第二开口部而电连接于所述发光二极管部上的所述第二型接触电极，

所述发光二极管芯片还包括第二绝缘层，

所述第二绝缘层至少部分地覆盖所述第一型焊垫电极、所述第二型焊垫电极及所述第一绝缘层，所述第二绝缘层包括分别使所述第一型焊垫电极和所述第二型焊垫电极露出的第三开口部及第四开口部，

所述发光二极管芯片还包括：

第一凸块，其通过所述第三开口部而与所述第一型焊垫电极电连接；及

第二凸块，其通过所述第四开口部而与所述第二型焊垫电极电连接。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述保护二极管部位于所述发光二极管芯片的中心部，

所述上部凹陷部位于所述上部面的中心部。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，

所述上部凹陷部的中心部及所述保护二极管部位于垂直于所述发光二极管芯片上表面的假想的透镜中心轴线上。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述保护二极管部位于所述发光二极管芯片的中心部，由所述发光二极管部包围。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，

使所述发光二极管部的第一导电型半导体层露出的所述第一开口部，是沿着所述发光二极管芯片的外廓边缘区域形成。

6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，

使所述发光二极管部的第一导电型半导体层露出的所述第一开口部，还在从所述外廓边缘区域向所述保护二极管部侧的区域形成。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述发光二极管芯片还包括位于所述第二绝缘层上的散热片；

所述散热片位于所述第一凸块及所述第二凸块之间。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述下部凹陷部具有从其入口越向上部宽度越窄的形状。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，

所述下部凹陷部的垂直截面为上端顶点被截断的形状即截头形图形。