[发明专利]发光二极管芯片及发光装置

说明书

公开一种发光二极管芯片及发光装置。所述发光装置包括：发光二极管芯片，其包括发光二极管部及保护二极管部；及透镜，其位于发光二极管芯片上；透镜包括：下部面，其形成有下部凹陷部，所述下部凹陷部定义供从发光二极管芯片释放的光入射的入射面；及上部面，其定义光射出的面，形成有上部凹陷部；发光二极管芯片配置于下部凹陷部的下方或其内部；上部凹陷部位于保护二极管部的上部。本发明提供的发光装置指向分布宽阔而均一、发光特性优秀。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管芯片及包括其的发光装置，特别是涉及一种包括保护元件的发光二极管芯片及包括发光元件与透镜的发光装置。

背景技术

发光二极管是一种无机半导体元件，能够发出电子和空穴复合产生的光，近年来，人们利用具有直接带隙型特点的氮化物半导体开发和制造发光二极管。

最近，不仅是发光二级管电视(LED TV)的背光单元(Back Light Unit)，在照明、汽车、电光板、基础设施等多个方面，高亮度-高功率发光二极管的应用正在扩大。因此，对散热特性优秀、电流分散效率优秀的覆晶式发光二极管的需求正在增加。另外，随着发光二极管的功率的提高，进一步要求用于防止静电导致的发光二极管破损的静电保护性能。

为防止静电放电导致的发光二极管破损，一般而言，在发光二极管封装工序中，将另外的保护元件(例如齐纳二极管)与发光二极管一同配置于同一封装包内。例如，在大韩民国专利公开公报10-2011-0128592等中，公开了一种包括发光二极管和齐纳二极管的发光二极管封装包。

但是，齐纳二极管价格昂贵，由于追加了贴装齐纳二极管的工序，发光二极管封装工序数及制造费用增加。另外，齐纳二极管在发光二极管封装包内贴装于发光二极管附近，因此，由于齐纳二极管导致的光吸收，封装包的发光效率降低，因而发光二极管封装包的收率下降。进一步而言，根据齐纳二极管的位置而发生发光二极管封装包的发光不均一的问题。

[现有技术文献]

[专利文献]

(专利文献1)KR10-2011-0128592A

发明内容

【要解决的技术问题】

本发明要解决的课题是提供一种通过提供包括保护元件的发光二极管芯片而能够省略额外的保护元件的发光二极管芯片及包括其的发光装置。

本发明要解决的另一课题是提供一种具备包括保护元件的发光二极管芯片，发光特性均一，指向角宽阔的发光装置。

【解决问题的手段】

本发明一个方面的发光装置包括：发光二极管芯片，其包括发光二极管部及与所述发光二极管部反并联连接的保护二极管部；及透镜，其位于所述发光二极管芯片上；所述透镜包括：下部面，其形成有下部凹陷部，所述下部凹陷部定义供从发光二极管芯片释放的光入射的入射面；及上部面，其定义供所述光射出的面，形成有上部凹陷部；所述发光二极管芯片配置于所述下部凹陷部的下方或其内部，所述发光二极管芯片的所述保护二极管部位于所述上部凹陷部的下方。

因此，可以使释放到透镜的上部面的光的指向分布均一，能够使因保护二极管部而发生的暗部所诱发的问题最小化。

所述保护二极管部可以位于所述发光二极管芯片的中心部，所述上部凹陷部可以位于所述上部面的中心部。

进而，所述上部凹陷部的中心部及所述保护二极管部可以位于垂直于所述发光二极管芯片上面的假想的透镜中心轴线上。

在几个实施例中，所述发光二极管部及所述保护二极管部可以分别包括第一导电型半导体层；以及台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括第二导电型半导体层与活性层，所述台面包括位于所述发光二极管部的第一台面以及位于所述保护二极管部的第二台面。