[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统

权利要求书

1.一种固态图像拾取装置的制造方法，所述方法包括：

第一步骤，形成包括第一半导体基板和第一布线结构的第一部件，第一半导体基板被设置有光电转换元件和第一晶体管，第一布线结构被设置在第一半导体基板上；

第二步骤，形成包括第二半导体基板和第二布线结构的第二部件，第二半导体基板被设置有第二晶体管，第二布线结构被设置在第二半导体基板上；以及

接合第一部件和第二部件的步骤，

其中，在第一步骤中，在第一半导体基板上形成第一布线结构的层间绝缘膜，而没有在第一晶体管处形成金属化合物层，

其中，在第二步骤中，在第二晶体管处形成金属化合物层之后，在第二半导体基板上形成第二布线结构的层间绝缘膜，并且

其中，在接合第一部件和第二部件的步骤中，将被至少设置在第一部件和第二部件之一处的针对所述金属化合物层中包含的金属的扩散防止膜置于第一半导体基板和第二半导体基板之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二步骤中，所述金属化合物层中包含的金属被沉积在第二晶体管上，并且此后执行热处理以由此形成金属化合物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一步骤中，在第一半导体基板上形成第一布线结构的层间绝缘膜之后，形成第一晶体管和第一布线结构之间的接触部。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述接触部是通过在第一晶体管的半导体区域执行离子注入和热处理而形成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一步骤中，在第一布线结构的层间绝缘膜上形成多个布线层，并且在第二步骤中，在第二布线结构的层间绝缘膜上形成多个布线层。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述固态图像拾取装置包括传送晶体管和放大晶体管，所述传送晶体管的源极与所述光电转换元件连接，并且所述放大晶体管的栅极电极与所述传送晶体管的漏极电连接，

其中，所述第一晶体管是所述传送晶体管，并且，所述放大晶体管被设置在所述第一半导体基板处，并且

其中，在第一步骤中，在没有对于所述放大晶体管形成金属化合物层的情况下，在第一半导体基板上形成所述第一布线结构的层间绝缘膜。

7.根据权利要求4所述的方法，

其中，所述固态图像拾取装置包括传送晶体管，所述传送晶体管的源极与所述光电转换元件连接，并且所述传送晶体管的漏极用作浮动扩散区域，

其中，所述第一晶体管是所述传送晶体管，并且

其中，所述半导体区域被包含在所述浮动扩散区域中。

8.一种固态图像拾取装置的制造方法，所述方法包括：

制备第一部件的步骤，第一部件包括第一半导体基板和第一布线结构，第一半导体基板被设置有光电转换元件和第一晶体管，第一布线结构被设置在第一半导体基板上；

制备第二部件的步骤，第二部件包括第二半导体基板和第二布线结构，第二半导体基板被设置有第二晶体管，第二布线结构被设置在第二半导体基板上；以及

接合第一部件和第二部件的步骤，

其中，第一布线结构包括多个布线层、以及设置在该多个布线层和第一半导体基板之间的层间绝缘膜，

其中，第一晶体管不包括在第一布线结构的层间绝缘膜和第一半导体基板之间的硅化物层，

其中，第二布线结构包括多个布线层、以及设置在该多个布线层和第二半导体基板之间的层间绝缘膜，并且

其中，第二晶体管包括在第二布线结构的层间绝缘膜和第二半导体基板之间的硅化物层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在接合第一部件和第二部件的步骤中，将被至少设置在第一部件和第二部件之一处的针对所述硅化物层中包含的金属的扩散防止膜置于第一半导体基板和第二半导体基板之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述扩散防止膜包含氮化硅或碳化硅。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述扩散防止膜被设置在第二部件处。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，第一布线结构和第二布线结构中的至少一个包括布线层和扩散防止膜，该布线层具有铜线，所述扩散防止膜是针对铜的并且被设置与具有铜线的该布线层接触。