[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统

说明书

本申请是申请号为200980163052.8、申请日为2009年12月26日、发明名称为“固态图像拾取装置和图像拾取系统”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及背面照射型固态图像拾取装置。

背景技术

近年来的较高速度的固态图像拾取装置已导致提出在晶体管处设置半导体化合物层的结构。

PTL 1讨论了如下这样的固态图像拾取装置，其中不在光电转换部的光检测器上设置高熔点金属半导体化合物层，并且在周边电路部(peripheral circuit portion)处设置高熔点金属半导体化合物层。

PTL 2讨论了背面照射型的固态图像拾取装置，在该背面照射型的固态图像拾取装置中，为了增加光电转换元件的灵敏度，包含具有该光电转换元件和信号读出电路的像素部的基板和包含用于通过驱动像素部的电路来处理读出信号的周边电路的基板相互粘接。

引文列表

专利文献

PTL 1：日本专利公开No.2001-111022

PTL 2：日本专利公开No.2009-170448

发明内容

技术问题

在PTL 1中的在周边电路部设置高熔点金属半导体化合物层的结构中，由于高熔点金属被设置在同一基板上，因此，高熔点金属可扩散到光电转换元件。即使光电转换元件的表面被绝缘膜保护，由于例如存在在绝缘膜上形成高熔点金属的步骤，因此，高熔点金属也可变得在绝缘膜中扩散。另外，例如，由于作为高熔点金属污染光电转换元件的结果产生的泄漏电流，因此可在图像中出现白色缺陷。并且，为了形成在PTL 1中讨论的结构，必须确定在同一基板上在哪里形成高熔点金属半导体化合物层，由此使处理复杂化。

因此，本发明的一个目的是，通过使用简单的结构，提供在抑制导致例如产生白色缺陷的光电转换元件的特性的降低的同时在周边电路部设置高熔点金属化合物层的固态图像拾取装置。

问题的解决方案

本发明提供一种固态图像拾取装置，其中，设置光电转换元件和用于传送来自光电转换元件的电荷的栅电极的第一基板和设置用于读出基于在光电转换元件处产生的电荷的信号的周边电路部的第二基板相互层叠，其中，第二基板具有高熔点金属化合物层，并且，第一基板不具有高熔点金属化合物层。

本发明的有益的效果

根据本发明，能够通过使用简单的结构提供在抑制光电转换元件的特性的降低的同时在周边电路部设置高熔点金属化合物层的固态图像拾取装置。

附图说明

图1是用于描述第一实施例的固态图像拾取装置的断面图。

图2是用于描述第二实施例的固态图像拾取装置的断面图。

图3是用于描述第三实施例的固态图像拾取装置的断面图。

图4表示根据第三实施例的固态图像拾取装置的制造方法。

图5表示根据第三实施例的固态图像拾取装置的制造方法。

图6是用于描述第五实施例的固态图像拾取装置的断面图。

图7表示根据第四实施例的固态图像拾取装置的制造方法。

图8表示根据第四实施例的固态图像拾取装置的制造方法。

图9表示根据第四实施例的固态图像拾取装置的制造方法。

图10是用于描述第五实施例的固态图像拾取装置的断面图。

图11是用于描述第六实施例的固态图像拾取装置的断面图。

图12是根据本发明的固态图像拾取装置的示例性电路。

图13是示出根据第七实施例的图像拾取系统的框图。

具体实施方式

通过相互层叠第一基板和第二基板形成根据本发明的固态图像拾取装置，其中第一基板具有光电转换元件和用于传送的栅电极并且第二基板具有周边电路部。不在第一基板设置高熔点金属化合物层，而在第二基板设置高熔点金属化合物层。通过这种结构，变得更容易确定在哪里形成化合物层，并且变得能够使周边电路部处的晶体管以更高的速度操作，并且以高速执行信号读出操作，同时抑制光电转换元件的特性降低。

以下，将参照附图详细描述本发明。

第一实施例

将参照图1和图12描述本发明的第一实施例。

首先，参照图12描述根据第一实施例的固态图像拾取装置的示例性电路。图12所示的固态图像拾取装置300包括布置多个光电转换元件的像素部301和具有用于执行用于从像素部301读取信号的驱动操作的控制电路并具有处理读出信号的信号处理电路的周边电路部302。