[发明专利]双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法

权利要求书

1.一种制造双极晶体管结构的方法，所述方法包括：

用第一介电层结构覆盖在衬底中的集电极区；

形成在所述第一介电层结构之上的多晶硅层；

形成在所述多晶硅层之上的第二介电层结构，所述第二介电层结构覆盖所述多晶硅层；

部分地移除所述第二介电层结构和所述多晶硅层以部分地暴露在所述集电极区之上的第一介电层结构并暴露所述多晶硅层的横向侧；

从所述多晶硅层的被暴露横向侧移除所述多晶硅层的一部分；

移除被暴露的第一介电层结构以至少部分地暴露所述集电极区；以及

在所述集电极区之上生长外延硅以形成基极区，外延生长的基极区连接到所述多晶硅层。

2.如权利要求1所述的方法，

其中生长外延硅包括同时从所述多晶硅层横向生长多晶硅。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

形成在所述外延生长的基极区之上的发射极层。

4.如权利要求3所述的方法，还包括：

在所述发射极层被形成之前在所述外延生长的基极区之上的所述第二介电层结构处形成侧壁隔离物。

5.如权利要求1所述的方法，

其中覆盖所述集电极区包括：

形成在所述衬底之上的第一氧化硅层；以及

形成在所述第一氧化硅层之上的第一氮化硅层。

6.如权利要求1所述的方法，

其中形成所述第二介电层结构包括：

形成在所述衬底之上的第二氧化硅层；以及

形成在所述第二氧化硅层之上的第二氮化硅层。

7.如权利要求3所述的方法，还包括：

图案化所述发射极层和所述第二介电层结构以至少部分地暴露所述多晶硅层以提供电接触所述基极区的被暴露的基极端子。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在部分地移除所述第二介电层结构和所述多晶硅层之后执行离子注入以提供掺杂的集电极区。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述集电极区被覆盖有所述第一介电层结构之前，形成在所述衬底中紧靠所述集电极区的两个介电区。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

执行退火以电链接所述基极区和所述多晶硅层。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

形成在所述衬底中电接触所述集电极区的集电极端子。