[发明专利]双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法

说明书

本发明涉及双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法。根据各种实施例，双极晶体管结构可包括：衬底；在衬底中的集电极区；设置在集电极区之上的基极区，设置在基极区之上的发射极区；横向地电接触基极区的基极端子，其中基极端子包括多晶硅。

技术领域

各种实施例一般涉及双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法。

背景技术

一般地，可在半导体技术中经由通常应用的半导体处理（包括例如成层、图案化、掺杂、热退火等）来制造双极结型晶体管（双极晶体管、BJT）。双极晶体管通常包括集电极、基极和发射极，其中在发射极和基极之间的施加的电压可用于控制在发射极和集电极之间的电流流动。双极晶体管照惯例被分类成分别具有发射极-基极结和基极-集电极结的npn型和pnp型。此外，双极结型晶体管可被配置为异质结双极晶体管（HBT），其中发射极-基极结和基极-集电极结包括创建所谓的异质结的不同的半导体材料。而且，HBT可在SiGe技术中被制造为SiGe-HBT，其中SiGe-HBT的基极可包括硅/锗合金，例如，SiGe-HBT的基极可被分级以提供与基极-集电极结不同的发射极-基极结。

发明内容

根据各种实施例，双极晶体管结构可包括：衬底；在衬底中的集电极区；设置在集电极区之上的基极区，设置在基极区之上的发射极区；横向地电接触基极区的基极端子，其中基极端子包括多晶硅。

附图说明

在附图中，相似的参考符号遍及不同的视图一般指代相同的部件。附图不一定按比例，相反一般将重点放在说明本发明的原理上。在下面的描述中，参考附图描述了本发明的各种实施例，其中：

图1示出根据各种实施例的在示意性横截面视图中的双极晶体管结构；

图2示出根据各种实施例的在示意性横截面视图中的双极晶体管结构；

图3A和3B分别示出根据各种实施例的在示意性横截面视图中的双极晶体管结构；

图4示出根据各种实施例的在示意性流程图中的制造双极晶体管结构的方法；

图5示出根据各种实施例的在示意性流程图中的制造双极晶体管结构的方法；以及

图6A到6K分别示出根据各种实施例的在制造期间的各种阶段的在示意性横截面视图中的双极晶体管结构。

具体实施方式

下面的详细描述指的是附图，其作为例证示出特定细节和其中本发明可被实践的实施例。

词“示例性”在本文用于意指“用作例子、实例或例证”。在本文被描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定应被解释为相对于其它实施例或设计是优选的或有利的。

关于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料使用的词“在…之上”在本文可用于意指可“直接在”暗指的侧面或表面“上”形成沉积材料，例如与暗指的侧面或表面直接接触而形成沉积材料。关于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料使用的词“在…之上”在本文可用于意指可“间接在”暗指的侧面或表面“上”形成沉积材料，其中一个或多个附加的层被布置在暗指的侧面或表面和沉积材料之间。

关于“横向”延伸、“横向地”紧靠或“横向地”围绕使用的术语“横向”在本文可用于意指平行于衬底、晶片、管芯或载体的处理表面的方向。那意味着衬底的表面可用作基准，通常被称为衬底的主处理表面（或晶片的主处理表面或管芯的主处理表面）。此外，关于结构的（例如基极、集电极或发射极的）“宽度”使用的术语“宽度”在本文可用于意指结构的横向延伸。此外，关于结构的高度使用的术语“高度”在本文可用于意指沿着垂直于载体的表面（例如垂直于载体的主处理表面）的方向的结构的延伸。