[发明专利]基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201510303029.1 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN104882467B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 宋莹莹;孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种基板,包括:孔或凹槽,其特征在于,
所述孔或凹槽内设置有多个间隔分布的突起结构,所述突起结构的顶部与所述基板的上表面相平,且所述突起结构由对打印材料或涂布材料不浸润的材料制成。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板为OLED显示基板,所述OLED显示基板包括显示区域和周边区域,所述周边区域设置有阴极接触区,所述阴极接触区采用如下结构:
所述周边区域自下而上依次设置有绝缘层、透明导电层和像素界定层,所述绝缘层和像素界定层均在所述阴极接触区的对应区域挖空,所述阴极接触区形成底部为所述透明导电层的凹槽,所述突起结构设置在所述凹槽内的所述透明导电层上。
3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述OLED显示基板还包括:源漏金属层,设置于所述绝缘层的下方,所述源漏金属层在所述阴极接触区的对应区域直接与所述透明导电层相接触。
4.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,所述突起结构的上方及间隙内还填充有阴极材料层,所述阴极材料层通过所述透明导电层与所述源漏金属层电连接。
5.根据权利要求4所述的基板,其特征在于,所述OLED显示基板的显示区域设置有OLED器件,所述阴极材料层与所述OLED器件的阴极同层设置。
6.根据权利要求5所述的基板,其特征在于,所述透明导电层与所述OLED器件的阳极同层设置。
7.根据权利要求1-6任一项所述的基板,其特征在于,所述基板为打印工序中使用的基板时,所述突起结构的间距小于打印工序中产生的墨滴的尺寸。
8.根据权利要求7任一项所述的基板,其特征在于,
所述突起结构的间距为6~10μm。
9.根据权利要求8所述的基板,其特征在于,
所述突起结构的间距为7~8μm。
10.根据权利要求1-6任一项所述的基板,其特征在于,
所述突起结构的材料为疏液性像素界定层材料。
11.根据权利要求10所述的基板,其特征在于,
所述突起结构的材料为含氟的有机聚合物光阻材料。
12.根据权利要求1-6任一项所述的基板,其特征在于,
所述突起结构的外部为光滑的圆曲面。
13.根据权利要求12所述的基板,其特征在于,
所述突起结构的截面呈波浪状。
14.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1-13任一项所述的基板。
15.一种基板的制造方法,其特征在于,
在打印或涂布工序之前,在所述基板的孔或凹槽内形成多个间隔分布的突起结构,所述突起结构的顶部与所述基板的上表面相平,且所述突起结构采用对打印材料或涂布材料不浸润的材料制成;
然后,进行打印或涂布工序。
16.根据权利要求15所述的制造方法,其特征在于,所述基板为包括显示区域(10)和周边区域(11)的OLED显示基板;在所述基板的孔或凹槽形成多个突起结构之前,还包括:
步骤S1、形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,其中,用以形成所述源极和所述漏极的源漏金属层延伸至所述OLED显示基板的阴极 接触区;
步骤S2、在形成有薄膜晶体管的基板上形成绝缘层,并通过构图工艺将所述绝缘层上与阴极接触区对应的区域挖空,所述阴极接触区设置于所述周边区域;
步骤S3、在形成有薄膜晶体管及绝缘层的基板上形成透明导电层,并通过构图工艺在所述OLED显示基板的显示区域形成OLED器件的阳极,在所述阴极接触区的对应区域所述透明导电层直接形成于所述源漏金属层上;
步骤S4、在形成有薄膜晶体管、绝缘层及透明导电层的基板上形成像素界定层,并通过构图工艺在所述显示区域形成像素界定结构,在所述周边区域将所述像素界定层上与所述阴极接触区对应的区域挖空;
所述在所述基板的孔或凹槽形成多个间隔分布的突起结构,具体为:在所述阴极接触区内的透明导电层上形成多个间隔分布的突起结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的