[发明专利]基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201510303029.1 申请日: 2015-06-04
公开(公告)号: CN104882467B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 宋莹莹;孙力 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 及其 制造 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示领域,尤其涉及一种基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

有机发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示屏由于同时具备自发光、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、具有可挠曲性、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,被认为是下一代平面显示器的新兴技术。

喷墨印刷技术可以将液态有机材料的均匀沉积形成薄膜层,是OLED制程中比较有前景的一种方法。喷墨印刷分为连续印刷和非连续印刷,连续印刷方式属于无光罩、无接触式的制程,优点在于逐次印刷,因为口径比较大,可以连续稳定地喷出墨水而不易堵塞喷嘴,良率高,易于大型化的同时墨水组成自由度大。然而,连续印刷制程会将一些不需要有机材料沉积的地方也打印上有机材料制成的墨水,例如图1所示OLED显示基板显示区域(AA区)10之外的周边区域11(AA区以外的部分),因此需要额外对周边区域11做材料清洁处理。另外,较为成熟的涂布技术也可以应用在显示领域,该技术同样也存在周边区域11需要清洁的问题。

针对显示基板周边区域11的清洁问题,目前存在的方法有等离子(Plasma)干刻、激光(laser)清洁等,但以上方法在面对几微米尺寸的小孔结构(如阴极接触区12中常有的过孔结构)时,清洁工作变得很困难。

发明内容

本发明的实施例提供一种基板及其制造方法、显示装置,可以解决打印或涂布工序后孔或凹槽结构内的打印材料或涂布材料难以清洁的问题。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一种基板,包括:孔或凹槽,所述孔或凹槽内设置有多个间隔分布的突起结构,所述突起结构由对打印材料或涂布材料不浸润的材料制成。

优选地,所述突起结构的顶部与所述基板的上表面相平。

可选地,所述基板为OLED显示基板,所述OLED显示基板包括显示区域和周边区域,所述周边区域设置有阴极接触区,所述阴极接触区采用如下结构:所述周边区域自下而上依次设置有绝缘层、透明导电层和像素界定层,所述绝缘层和像素界定层均在所述阴极接触区的对应区域挖空,所述阴极接触区形成底部为所述透明导电层的凹槽,所述突起结构设置在所述凹槽内的所述透明导电层上。

进一步地,所述OLED显示基板还包括:源漏金属层,设置于所述绝缘层的下方,所述源漏金属层在所述阴极接触区的对应区域直接与所述透明导电层相接触。

进一步地,所述突起结构的上方及间隙内还填充有阴极材料层,所述阴极材料层通过所述透明导电层与所述源漏金属层电连接。

可选地,所述OLED显示基板的显示区域设置有OLED器件,所述阴极材料层与所述OLED器件的阴极同层设置。

可选地,所述透明导电层与所述OLED器件的阳极同层设置。

可选地,所述基板为打印工序中使用的基板时,所述突起结构的间距小于打印工序中产生的墨滴的尺寸。

优选地,所述突起结构的间距为6~10μm。

优选地,所述突起结构的间距为7~8μm。

优选地,所述突起结构的材料为疏液性像素界定层材料。

优选地,所述突起结构的材料为含氟的有机聚合物光阻材料。

优选地,所述突起结构的外部为光滑的圆曲面。

优选地,所述突起结构的截面呈波浪状。

本发明的实施例提供一种显示装置,包括:上述任一项所述的基板。

另一方面,本发明的实施例还提供一种基板的制造方法,在打印或涂布工序之前,在所述基板的孔或凹槽内形成多个间隔分布的突起结构,所述突起结构采用对打印材料或涂布材料不浸润的材料制成;然后,进行打印或涂布工序。

优选地,所述突起结构的顶部与所述基板的上表面相平。

优选地,所述基板为OLED显示基板;在所述基板的孔或凹槽形成多个突起结构之前,还包括:

步骤S1、形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,其中,用以形成所述源极和所述漏极的源漏金属层延伸至所述OLED显示基板的阴极接触区;

步骤S2、在形成有薄膜晶体管的基板上形成绝缘层,并通过构图工艺将所述绝缘层上与阴极接触区对应的区域挖空,所述阴极接触区设置于所述周边区域;

步骤S3、在形成有薄膜晶体管及绝缘层的基板上形成透明导电层,并通过构图工艺在所述OLED显示基板的显示区域形成OLED器件的阳极,在所述阴极接触区的对应区域所述透明导电层直接形成于所述源漏金属层上;

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