[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201510303491.1 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN104900657A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 李晓光;刘晓伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、一种包括该阵列基板的显示面板和一种包括该显示面板的显示装置。
背景技术
液晶面板包括阵列基板和对盒基板,在阵列基板上设置有栅线和数据线,栅线和数据线限定出多个像素单元,每个像素单元内设置有薄膜晶体管,薄膜晶体管的栅极与相应的栅线相连,当栅线上的电压达到开启电压时,薄膜晶体管的源极和漏极导通,从而将数据线上的数据电压输入至像素电极。但是,薄膜晶体管的有源层11对光线的照射比较敏感。如图1所示,当箭头所示侧面的光照(如,环境光)照射至有源层11时,会导致薄膜晶体管的漏电流受到影响,从而产生串扰、电压闪变等现象,进而影响到显示画面的质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、一种包括该阵列基板的显示面板和一种包括该显示面板的显示装置,以减少光照对显示画面的影响。
为了上述目的,本发明提供一种阵列基板,包括衬底和设置在该衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层,所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管的有源层上方的遮光层,所述遮光层至少覆盖所述薄膜晶体管的沟道区域。
优选地,所述薄膜晶体管包括源极和漏极,所述遮光层设置在所述源极和漏极的上方,所述阵列基板还包括设置在所述遮光层上的隔垫物。
优选地,所述遮光层和所述隔垫物一体形成。
优选地,所述遮光层包括不透光的光刻胶层。
优选地,所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管上方的钝化层,所述遮光层设置在所述钝化层上。
相应地,本发明还提供一种阵列基板的制作方法,包括:
形成薄膜晶体管的有源层;
在所述薄膜晶体管的有源层上方形成遮光层,所述遮光层至少覆盖所述薄膜晶体管的沟道区域。
优选地,所述制作方法还包括:形成包括薄膜晶体管的源极和漏极的图形;所述在薄膜晶体管的有源层上方形成遮光层的步骤在所述形成包括薄膜晶体管的源极和漏极的图形的步骤之后进行,所述制作方法还包括:
形成包括隔垫物的图形,所述隔垫物位于所述遮光层的上方。
优选地,在薄膜晶体管的有源层上方形成遮光层的步骤和所述形成包括隔垫物的图形的步骤同步形成,所述同步形成的步骤包括:
形成不透光的光刻胶层;
利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光并显影,以使得显影后的光刻胶层位于预定区域的部分保留,其他部分去除,所述预定区域对应于所述遮光层的位置,并且,所述预定区域包括中间子区域和位于该中间子区域周围的边缘子区域,位于所述中间子区域的光刻胶层的厚度大于位于所述边缘子区域的光刻胶层的厚度,所述中间子区域对应于所述隔垫物的位置。
优选地,所述光刻胶层为负性光刻胶层,所述半色调掩膜板的透光区对应于所述中间子区域,所述半色调掩膜板的半透光区对应于所述边缘子区域,所述半色调掩膜板的不透光区域对应于所述预定区域以外的区域。
优选地,所述制作方法还包括在所述形成薄膜晶体管的有源层的步骤和所述在薄膜晶体管的有源层上方形成遮光层的步骤之间进行的:
形成钝化层。
相应地,本发明还提供一种显示面板,所述显示面板包括阵列基板和与该阵列基板相对设置的对盒基板,所述阵列基板为本发明提供的上述阵列基板,所述对盒基板包括黑矩阵,所述黑矩阵在所述衬底上的投影覆盖所述遮光层在所述衬底上的投影。
相应地,本发明还提供一种显示装置,所述显示装置包括本发明提供的上述显示面板。
在本发明中,由于遮光层至少覆盖所述薄膜晶体管的沟道区域,可以减少侧向光线进入薄膜晶体管的沟道区域,降低漏电流,从而可以减少串扰、电压闪变等现象,进而改善显示质量;另外,隔垫物和遮挡层可以同步形成,无需在制作对盒基板的过程中单独形成隔垫物的步骤,从而在整体上简化制作工艺。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是现有技术中的阵列基板结构示意图;
图2是本发明中的实施例中的阵列基板结构示意图;
图3是形成光刻胶层的示意图;
图4是利用半色调掩膜板对光刻胶层进行曝光的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的