[发明专利]同时加工不同结构的同轴线的方法

权利要求书

1.一种同时加工不同结构的同轴线的方法，其特征在于，所述不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，所述第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：

同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层；

将激光切割机设定为第一参数，并采用设定为所述第一参数的所述激光切割机对所述第一屏蔽线层进行部分切割，将所述激光切割机设定为第二参数，并采用设定为所述第二参数的所述激光切割机切断所述第二芯线导体层，其中，所述对所述第一屏蔽线层进行部分切割包括所述第一屏蔽线层的切割厚度大于或等于所述第一屏蔽线层厚度的二分之一，所述第一参数是指所述激光切割机的功率范围为11W～16W，切割速度为80mm/s～110mm/s，所述第二参数是指所述激光切割机的功率范围为16W～19W，切割速度为8mm/s～14mm/s；

剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，包括：

采用激光切割机切割所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层；

采用拉拔工装剥离切割后的所述第一外绝缘层和第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行切割之前，还包括：

对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行浸锡处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥除切割后的所述第一屏蔽线层是指采用拉拔工装剥离所述第一屏蔽线层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理，包括：

采用激光切割机切断所述第一内绝缘层，并采用拉拔工装剥离所述切割后的第一内绝缘层；

对暴露出的所述第一芯线导体层进行浸锡处理，并采用激光切割机切断所述第一芯线导体层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一同轴线和第二同轴线为直径小于0.5mm的极细同轴线。