[发明专利]同时加工不同结构的同轴线的方法

说明书

本发明提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法，不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：同时切割并剥除第一同轴线的第一外绝缘层和第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出第一屏蔽线层和第二芯线导体层；对第一屏蔽线层进行部分切割，并切断第二芯线导体层；剥除部分切割后的第一屏蔽线层，并对暴露出的第一内绝缘层和第一芯线导体层进行相应的切割处理。由于只是对第一屏蔽线层进行了部分切割，并未切断第一屏蔽线层，因此，不会对内侧的第一内绝缘层进行破坏。

技术领域

本发明涉及电气技术领域，更具体地说，涉及一种同时加工不同结构的同轴线的方法。

背景技术

随着电子产品的高度集成化和微型化，极细同轴线的开发应用已经受到越来越高的关注，并且，不同结构的极细同轴线也越来越广泛地应用在电脑主机排线等高精密产品上。

极细同轴线一般由多层(4层甚至5层)线体构成，如图1所示，一种4层的极细同轴线从外到内依次包括第1层的外绝缘层1，第2层的屏蔽线层2，第3层的内绝缘层3，第4层的芯线导体层4。由于极细同轴线在制作时多层线体是一致成型，因此，在使用极细同轴线时，必须对其进行剥切加工，以露出进行焊接的屏蔽线层2和芯线导体层4。

但是，由于直径小于0.5mm的极细同轴线的每一层结构都极薄，因此，在对极细同轴线进行加工，尤其是在对不同结构的极细同轴线进行同时加工时，如何在切割第2层的屏蔽线层时保证第3层的内绝缘层不被破坏，已经成为当前亟待解决的技术难点之一。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法，以解决现有技术中在切割屏蔽线层时会破坏内绝缘层的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种同时加工不同结构的同轴线的方法，所述不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，所述第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：

同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层；

对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层；

剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。

优选的，所述同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，包括：

采用激光切割机切割所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层；

采用拉拔工装剥离切割后的所述第一外绝缘层和第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层。

优选的，在对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行切割之前，还包括：

对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行浸锡处理。

优选的，对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层，包括：

采用设定为第一参数的激光切割机对所述第一屏蔽线层进行部分切割；

采用设定为第二参数的所述激光切割机切断所述第二芯线导体层。

优选的，所述第一参数是指所述激光切割机的功率范围为11W～16W，切割速度为80mm/s～110mm/s。