[发明专利]电子设备的测试方法及装置有效
申请号: | 201510312124.8 | 申请日: | 2015-06-08 |
公开(公告)号: | CN104931823B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 孙启民;侯恩星;曾凡 | 申请(专利权)人: | 小米科技有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人: | 代治国 |
地址: | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 测试 方法 装置 | ||
1.一种电子设备的测试方法,所述电子设备包括电路,其特征在于,所述电子设备还包括:用于测试所述电子设备的电子元器件,所述电子元器件与所述电路之间电连接,所述方法包括:
所述电子设备上电后,进入测试模式,所述测试模式用于控制所述电子元器件正常工作,并通过正常工作的所述电子元器件控制所述电子设备进入测试状态;
所述电子设备通过测试后,进入熔断模式,所述熔断模式用于熔断所述电子元器件,熔断后的电子元器件与所述电路的连接断开;
所述测试模式包括:
向所述电路和电子元器件通电,其中,通电后的电子元器件的工作参数值小于可熔断电子元器件的工作参数值,通电后的电子元器件和所述电路共同构成用于测试所述电子设备的测试电路;
由通电后的电子元器件触发所述测试电路执行预先写入所述电子设备中的测试数据。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电子元器件熔断后,所述方法还包括:
所述电子设备再次上电后,进入正常工作模式。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述熔断模式包括:
向所述电路和电子元器件通电,其中,通电后的电子元器件的工作参数大于或等于可熔断电子元器件的工作参数;
其中,可熔断电子元器件的工作参数值小于所述电路中任一元器件的可承受的工作参数最大值。
4.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述工作参数包括以下任一项或多项:
温度、电流和电压。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,所述电子元器件包括熔断电阻、保险丝和/或熔断器。
6.一种电子设备的测试装置,所述电子设备包括电路,其特征在于,所述电子设备还包括:用于测试所述电子设备的电子元器件,所述电子元器件与所述电路之间电连接,所述装置包括:
测试模块,用于在所述电子设备上电后,进入测试模式,所述测试模式用于控制所述电子元器件正常工作,并通过正常工作的所述电子元器件控制所述电子设备进入测试状态;
熔断模块,用于在所述电子设备通过测试后,进入熔断模式,所述熔断模式用于熔断所述电子元器件,熔断后的电子元器件与所述电路的连接断开;所述测试模式包括:
向所述电路和电子元器件通电,其中,通电后的电子元器件的工作参数值小于可熔断电子元器件的工作参数值,通电后的电子元器件和所述电路共同构成用于测试所述电子设备的测试电路;
由通电后的电子元器件触发所述测试电路执行预先写入所述电子设备中的测试数据。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
正常工作模块,用于在所述电子元器件熔断后,所述电子设备再次上电后,进入正常工作模式。
8.如权利要求6所述的装置,其特征在于,
所述熔断模式包括:
向所述电路和电子元器件通电,其中,通电后的电子元器件的工作参数大于或等于可熔断电子元器件的工作参数;
其中,可熔断电子元器件的工作参数值小于所述电路中任一元器件的可承受的工作参数最大值。
9.如权利要求7或8所述的装置,其特征在于,所述工作参数包括以下任一项或多项:
温度、电流和电压。
10.如权利要求6至8中任一项所述的装置,其特征在于,所述电子元器件包括熔断电阻、保险丝和/或熔断器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于小米科技有限责任公司,未经小米科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510312124.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。