[发明专利]层叠陶瓷电容器有效
| 申请号： | 201510312333.2 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN105280377B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 神崎泰介;增成晃生 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/12;H01B1/02;H01B3/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内部电极 层叠陶瓷电容器 缺损 电介质层 钙钛矿型化合物 薄层化 覆盖率 | ||
【权利要求书】：
1.一种层叠陶瓷电容器，具有：
多个电介质层，其含有钙钛矿型化合物，该钙钛矿型化合物包含Ba、Ti、且任意包含Zr、Hf；和
设置在所述电介质层彼此的界面之中的多个界面的多个内部电极，
所述层叠陶瓷电容器的特征在于，
所述内部电极的平均厚度为0.5μm以下，
在所述电介质层中，相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份，Mg成分处于0摩尔份≤Mg≤0.4摩尔份的范围，
在所述内部电极的连续性中断的区域即缺损部存在Mg成分的比例为20％以上，即：(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100％≥20％，
所述内部电极包含作为导电材料的Ni。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于，
所述内部电极由导电性膏形成，该导电性膏含有作为导电材料的Ni和作为副成分的Mg。
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