[发明专利]TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构

权利要求书

1.一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；

步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积多晶硅层(3)；

步骤3、在所述多晶硅层(3)上沉积栅极绝缘层(4)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积金属层(5)；

步骤4、在所述金属层(5)上涂布光阻层(6)，通过一道光罩对所述光阻层(6)进行曝光、显影，得到位于中间的第一光阻段(61)、及间隔分布于所述第一光阻段(61)两侧的数个第二光阻段(62)；

步骤5、以所述第一光阻段(61)、及数个第二光阻段(62)为阻挡层，对所述金属层(5)进行蚀刻，对应所述第一光阻段(61)下方得到栅极(51)，分别对应所述数个第二光阻段(62)下方得到数个金属段(52)；

步骤6、剥离所述第一光阻段(61)、及数个第二光阻段(62)，以所述栅极(51)、及数个金属段(52)为光罩，对所述多晶硅层(3)进行离子注入，在所述多晶硅层(3)上对应所述栅极(51)下方形成未掺杂的沟道区(33)，对应所述沟道区(33)的两侧形成数个n型重掺杂区(31)，对应所述数个金属段(52)下方形成位于所述数个n型重掺杂区(31)之间的数个未掺杂区(32)；

靠近所述第一光阻段(61)两侧的两个第二光阻段(62)与所述第一光阻段(61)之间的距离均小于1μm，所述第二光阻段(62)的宽度为1μm～2μm；

靠近所述栅极(51)两侧的两个金属段(52)与所述栅极(51)之间的距离均小于1μm，所述金属段(52)的宽度为1μm～2μm。

2.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤4采用单缝光罩、半色调光罩、或灰阶光罩得到所述第一光阻段(61)、及数个第二光阻段(62)。

3.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用干法蚀刻或湿法蚀刻得到所述栅极(51)、及数个金属段(52)。

4.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述缓冲层(2)、及栅极绝缘层(4)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。

5.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述金属层(5)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。

6.一种TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的缓冲层(2)、设于所述缓冲层(2)上的多晶硅层(3)、设于所述多晶硅层(3)上的栅极绝缘层(4)、设于所述栅极绝缘层(4)上的栅极(51)、及设于所述栅极绝缘层(4)上且间隔分布于所述栅极(51)两侧的数个金属段(52)；

所述多晶硅层(3)包括对应于所述栅极(51)下方的沟道区(33)，位于所述沟道区(33)两侧的数个n型重掺杂区(31)，以及对应于所述数个金属段(52)下方且位于所述数个n型重掺杂区(31)之间的数个未掺杂区(32)；

所述多晶硅层(3)的沟道区(33)、n型重掺杂区(31)、及未掺杂区(32)通过以栅极(51)、及数个金属段(52)为光罩对多晶硅层(3)进行离子注入而得到；

靠近所述栅极(51)两侧的两个金属段(52)与所述栅极(51)之间的距离均小于1μm，所述金属段(52)的宽度为1μm～2μm。

7.如权利要求6所述的TFT基板结构，其特征在于，所述缓冲层(2)、及栅极绝缘层(4)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合；所述栅极(51)、及数个金属段(52)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。