[发明专利]TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构

说明书

本发明提供一种TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构。本发明的TFT基板结构的制作方法，在制作栅极的同时，在栅极两侧形成间隔分布的数个金属段，并以栅极和数个金属段作为光罩，对多晶硅层进行离子注入，在多晶硅层上形成n型重掺杂区的同时，在n型重掺杂区之间形成未掺杂区，增加了阻值，分散了电极附近的强电场，避免了因局部强电场的存在而发生的热载流子效应对器件特性的影响，提高了工作电流，简化了制程，降低了生产成本，减小了TFT基板的尺寸。本发明的TFT基板结构，多晶硅层的n型重掺杂区之间形成有未掺杂区，避免了局部强电场的产生，消除了热载流子效应对器件特性的影响，具有较高的工作电流，结构简单，生产成本低。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

随着移动显示技术在生活中的应用起到的作用越来越大，移动显示技术向更高画质、更高精细程度、更轻薄和更低功耗的方向发展，在器件上就要求尺寸越来越小，器件内部局部区域的电场强度也因此而增强，特别是在漏极附近存在强电场。载流子在强电场的作用下获得较高的能量成为热载流子。热载流子对器件性能的影响主要表现在以下两个方面：

(1)热载流子越过绝缘层注入到氧化层，不断积累，改变阈值电压，影响器件寿命；

(2)在漏极附近的耗尽区与晶格碰撞产生新的电子空穴对，以金属氧化物半导体(Metal Oxid Semiconductor，MOS)场效应晶体管为例，碰撞产生的电子形成附加的漏电流，空穴则被衬底收集，形成衬底电流，使总电流成为饱和漏电流与衬底电流之和。热载流子效应是限制器件最高工作电压的基本因素之一。

为了解决热载流子的出现对器件特性的影响，技术人员想出了各种办法来避免局部强电场的产生。请参阅图1，为一种现有的TFT基板结构的示意图，所述TFT基板结构包括基板100、设于基板100上的半导体层200、设于所述半导体层200上的源/漏极300、设于所述源/漏极300及半导体层200上的绝缘层400、及设于所述绝缘层400上的栅极500，具体的，所述半导体层200包括对应于所述栅极500下方的沟道区210、位于所述沟道区210两侧且与所述源/漏极300相接触的两N型重掺杂区220、及位于两N型重掺杂区220与沟道区210之间的两偏移区230，由于偏移区230没有掺杂，阻值较高，可以分散电极附近的强电场，从而减少热载流子的产生，但是，该种TFT基板结构的漏电流虽然变小了，其工作电流也相应减小，导致功耗增大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板结构的制作方法，可以在多晶硅层形成n型重掺杂区的同时，在n型重掺杂区之间形成未掺杂区，以增加阻值，分散电极附近的强电场，避免因局部强电场的存在而发生的热载流子效应对器件特性造成影响，提高工作电流。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板结构，多晶硅层的n型重掺杂区之间形成有未掺杂区，可避免局部强电场的产生，消除热载流子效应对器件特性的影响，提高工作电流。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤：