[发明专利]用于制造太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在半导体基板上形成导电区；

在形成所述导电区之后，形成连接至所述导电区的电极以形成所述太阳能电池；以及

后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板，

其中，所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时对所述半导体基板整个热处理的主加工工序，其中，所述主加工工序在形成所述电极之后执行，

其中，所述主加工工序的温度为100℃至800℃，

其中，所述主加工工序包括上升时段、主时段和冷却时段，

其中，所述后加工还包括预先热处理工序，所述预先热处理工序在形成所述电极之后且在所述主加工工序之前，并且

所述预先热处理工序在比形成所述电极的温度更低的温度下执行，而不需要另外向所述半导体基板供应光，并且

其中，所述主加工工序的温度和光强度满足方程1，

<方程1>

1750-31.8·T+(0.16)·T²≤I

其中，T是所述主加工工序的温度，单位为℃，而I是所述主加工序的所述光强度，单位为mW/cm²。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述主加工工序的所述温度和所述光强度还满足方程2，

<方程2>

1750-31.8·T+(0.16)·T²≤I≤10⁵。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述主加工工序的所述温度和所述光强度满足方程3至6之一，

<方程3>

1.7×10²≤I<10³，和13000-(31.7)·I+(0.02)·(I)²≤P，

<方程4>

10³≤I<10⁴，和1030-(0.25)·I+(1.5×10^-5)·(I)²≤P，

<方程5>

10⁴≤I≤5×10⁴，和35.5-(0.0012)·I+(10^-8)·(I)²≤P，以及

<方程6>

5×10⁴≤I≤10⁵，和0.5≤P，

其中，I是所述主加工序的所述光强度，单位为mW/cm²，而P是所述主加工工序的加工时间，单位为秒。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述主加工工序的所述温度和所述光强度满足方程7至10之一，

<方程7>

1.7×10²≤I<10³，和13000-(31.7)·I+(0.02)·(I)²≤P≤10000，

<方程8>

10³≤I<10⁴，和1030-(0.25)·I+(1.5×10^-5)·(I)²≤P≤10000，

<方程9>

10⁴≤I≤5×10⁴，和35.5-(0.0012)·I+(10^-8)·(I)²≤P≤10000，以及

<方程10>

5×10⁴≤I≤10⁵，和0.5≤P≤10000。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体基板具有200μm或以下的厚度。