[发明专利]用于制造太阳能电池的方法

说明书

讨论了一种用于制造太阳能电池的方法。所述制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成导电区；形成连接至所述导电区的电极；以及后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃，并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750‑31.8·T+(0.16)·T²≤I。这里，T是所述主加工工序的温度(℃)，而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm²)。

技术领域

本发明的实施方式涉及用于制造太阳能电池的方法，并且更具体地说，涉及用于基于晶体半导体基板来制造太阳能电池的方法。

背景技术

近年来，已经预见诸如石油和煤炭的现有能源的枯竭，从而对替代现有能源的另选能源的关注随之增长。在这种另选能源当中，利用半导体装置将光伏能量转换成电能的太阳能电池被关注为下一代电池。

太阳能电池可以通过形成基于设计的不同层和电极来制造。不同层和电极的设计可以确定太阳能电池的效率。必须解决太阳能电池的低效率，以便商品化太阳能电池。为此，太阳能电池的不同层和电极被设计成，使得可以最大化太阳能电池的效率。另外，需要提供这样一种用于制造太阳能电池的方法，即，其能够简化用于制造具有不同层和电极的太阳能电池的不同工序。

发明内容

因此，本发明的实施方式鉴于上述问题而制成，并且本发明实施方式的一目的是，提供这样一种用于制造太阳能电池的方法，即，其能够缩减太阳能电池的输出损耗。

根据本发明一实施方式，一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板上形成导电区；形成连接至所述导电区的电极；以及后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃，并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750-31.8·T+(0.16)·T²≤I。这里，T是所述主加工工序的温度(℃)，而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm²)。

附图说明

根据下面结合附图的详细描述，将更清楚地明白本发明的实施方式的上述和其它目的、特征以及其它优点，其中：

图1是示出利用根据本发明一实施方式的太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的一实施例的截面图；

图2是示出根据本发明一实施方式的、图1所示太阳能电池的正面的平面图；

图3是示出根据本发明一实施方式的太阳能电池的制造方法的流程图；

图4A至4G是示出根据本发明一实施方式的、图3所示太阳能电池的制造方法的截面图；

图5是示出根据本发明该实施方式的太阳能电池的制造方法的后加工操作的主加工工序的时间与温度之间的关系的图形；

图6是示出根据本发明该实施方式的、基于在太阳能电池的制造方法的后加工操作下的温度与光强度之间的关系的氢的状态的图形；

图7是示出根据本发明该实施方式的、基于在太阳能电池的制造方法的后加工操作下的光强度与加工时间之间的关系的氢的状态的图形；

图8是示出根据本发明该实施方式的、利用太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的另一实施例的截面图；

图9是示出根据本发明该实施方式的、利用太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池的又一实施例的截面图；

图10是示出在本发明的实验例中展示相同输出损耗的温度和光强度线的图形；