[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201510314409.5 | 申请日: | 2015-06-10 |
公开(公告)号: | CN105304561A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 中村胜;万德公丈 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,在该晶片的正面格子状地形成有多条分割预定线并且在通过该多条分割预定线而划分的各区域中形成有器件芯片,在该晶片的加工方法中,将所述晶片沿分割预定线分割为一个个器件芯片,并且将用于芯片结合的粘合膜安装于各器件芯片的背面,该晶片的加工方法的特征在于,该晶片的加工方法包含:
晶片支承工序,将粘合膜安装于沿分割预定线被分割、或者沿分割预定线形成有断裂起点的晶片的背面并且在粘合膜侧粘贴划片带,并通过环状的框架支承划片带的外周部;以及
粘合膜断裂工序,扩展划片带而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂,
在实施该粘合膜断裂工序之前实施保护膜形成工序,其中在该保护膜形成工序中,将水溶性树脂覆盖于晶片的正面、或者从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部、或者晶片的正面与从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部来形成保护膜。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,该晶片的加工方法在实施该粘合膜断裂工序之前包含下述工序:分割槽形成工序,从晶片的正面侧沿分割预定线形成深度相当于器件芯片的最终厚度的分割槽;保护部件粘贴工序,将保护部件粘贴到实施了该分割槽形成工序的晶片的正面;以及背面磨削工序,对实施了该保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削而使该分割槽显出于背面,将晶片分割为一个个器件芯片。
3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法,其中,在该分割槽形成工序和该保护部件粘贴工序之间实施该保护膜形成工序。
4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,该晶片的加工方法在实施该晶片支承工序之前包含改质层形成工序,从晶片的背面将聚光点定位于内部并沿分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线,在晶片的内部沿分割预定线形成改质层。
5.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法,其中,在实施该粘合膜断裂工序之后实施保护膜清洗工序,其中在该保护膜清洗工序中,对保护膜供给清洗水来冲洗保护膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造