[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，在该晶片的正面上通过形成为格子状的分割预定线而划分的多个区域中形成有器件，将该晶片沿分割预定线分割为一个个器件芯片，并且将用于芯片结合(diebonding)的粘合膜安装到各器件芯片的背面。

背景技术

例如，在半导体器件芯片制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面上通过形成为格子状的分割预定线而划分的多个区域内形成有IC、LSI等器件，通过将该形成有器件的各区域沿分割预定线进行分割来制造一个个半导体器件芯片。作为对半导体晶片进行分割的分割装置一般使用划片(Dicing)装置，该划片装置通过厚度为20～30μm左右的切削刀具将半导体晶片沿分割预定线进行切削。这样分割而成的半导体器件芯片被封装并广泛利用于移动电话或者个人计算机等电子设备。

作为将半导体晶片分割为一个个器件芯片的方法，实用化一种被称为所谓的预先划片法(DicingBeforeGrinding)的分割技术。该预先划片法是如下的技术：从半导体晶片的正面沿间隔道形成规定的深度(相当于半导体器件芯片的最终厚度的深度)的切削槽，此后，对在正面上形成有切削槽的半导体晶片的背面进行磨削，使切削槽在该背面显出从而分割为一个个半导体器件芯片，通过该预先划片法能够将半导体器件芯片的厚度加工为50μm以下。(例如，参照专利文献1。)

此外，作为将半导体晶片分割为一个个器件芯片的方法，实用化一种被称为内部加工的激光加工方法，使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚光点定位在要进行分割的区域的内部来照射脉冲激光光线。使用这种被称为内部加工的激光加工方法的分割方法是如下的技术：从晶片的背面侧将聚光点集中于内部并照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿分割预定线连续形成改质层，通过沿着因形成该改质层而强度降低的分割预定线施加外力，而使晶片断裂从而将其分割(例如，参照专利文献2)。

如上所述在一个个地分割而成的半导体器件芯片的背面上安装有由聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂等形成的厚度20～40μm的被称为粘片膜(DAF)的用于芯片结合的粘合膜，通过对经由该粘合膜而支承半导体器件芯片的芯片结合框架进行加热焊接从而实现结合。

但是，在上述各分割方法中，由于在将用于芯片结合的粘合膜安装到半导体晶片的背面的状态下无法对上述晶片进行背面磨削或者从晶片的背面侧照射激光光线，因此，提出了如下技术：将用于芯片结合的粘合膜安装到被分割为一个个半导体器件芯片的半导体晶片的背面，并且在粘合膜侧粘贴划片带，对该划片带进行扩展从而使粘合膜沿已被一个个地分割的半导体器件芯片断裂(例如，参照专利文献3、专利文献4)。

专利文献1：日本特开2003-7648号公报

专利文献2：日本特许第3408805号公报

专利文献3：日本特开2005-223282号公报

专利文献4：日本特开2008-235650号公报

但是，如果将粘合膜安装到已被分割为一个个器件芯片的晶片的背面并且粘贴划片带，对该划片带进行扩展从而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂，则存在如下问题：由于粘合膜形成为比晶片稍大，因此粘合膜的外周部会细微破碎而飞散而附着于器件芯片的正面。

此外，如果细微破碎了的粘合膜附着到显出在半导体器件芯片的正面的电极上，则存在如下问题：会对引线接合造成妨碍，会引起导通不良而使器件芯片的品质降低。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题是提供一种晶片的加工方法，使安装在沿着分割预定线分割、或者沿着分割预定线形成断裂起点的晶片的背面的用于芯片结合的粘合膜沿着被一个个地分割的半导体器件芯片断裂，并且能够防止断裂时细微破碎的粘合膜直接附着于半导体器件的正面。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，在该晶片的正面格子状地形成有多条分割预定线并且在通过该多条分割预定线而划分的各区域中形成有器件芯片，在该晶片的加工方法中，将所述晶片沿分割预定线分割为一个个器件芯片，并且将用于芯片结合的粘合膜安装于各器件芯片的背面，该晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法包含：

晶片支承工序，将粘合膜安装于沿分割预定线被分割、或者沿分割预定线形成有断裂起点的晶片的背面并且在粘合膜侧粘贴划片带，并通过环状的框架支承划片带的外周部；以及

粘合膜断裂工序，扩展划片带而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂，