[发明专利]CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法

权利要求书

1.一种CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、依次在半导体衬底表面形成栅介质层和多晶硅层；

步骤二、采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀同时形成NMOS器件的多晶硅栅、PMOS器件的多晶硅栅和多晶硅电阻；

步骤三、采用NMOS器件的N型源漏注入的光罩定义出所述N型源漏注入的注入区域，所述N型源漏注入的注入区域同时包括所述多晶硅电阻的形成区域且是将所述多晶硅电阻的形成区域全部打开；

步骤四、进行所述N型源漏注入在所述NMOS器件的多晶硅栅两侧形成N+掺杂的源漏区，所述N型源漏注入同时将N型杂质注入到所述多晶硅电阻中；

步骤五、采用PMOS器件的P型源漏注入的光罩定义出所述P型源漏注入的注入区域，所述P型源漏注入的注入区域同时包括所述多晶硅电阻的形成区域且是将所述多晶硅电阻的形成区域全部打开；

步骤六、进行所述P型源漏注入在所述PMOS器件的多晶硅栅两侧形成P+掺杂的源漏区，所述P型源漏注入同时将P型杂质注入到所述多晶硅电阻中；

步骤七、采用快速热退火对所述NMOS器件的源漏区、所述PMOS器件的源漏区以及所述多晶硅电阻的杂质进行激活，所述多晶硅电阻由步骤四注入的N型杂质和步骤六注入的P型杂质的叠加确定；所述快速热退火实现在所述多晶硅电阻的厚度范围内的扩散激活。

2.如权利要求1所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：步骤一中所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求1所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：步骤一中所述栅介质层为采用热氧化工艺形成的栅氧化层。

4.如权利要求1所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：步骤三和步骤四组成的整体步骤能和步骤五和步骤六组成的整体步骤在工艺顺序上互换。

5.如权利要求1所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：步骤二对所述多晶硅层进行刻蚀之后还包括进行所述NMOS器件的N型轻掺杂漏注入以及所述PMOS器件的P型轻掺杂漏注入的工艺步骤。

6.如权利要求5所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：在所述NMOS器件的N型轻掺杂漏注入以及所述PMOS器件的P型轻掺杂漏注入完成之后还包括在所述NMOS器件的多晶硅栅、所述PMOS器件的多晶硅栅和所述多晶硅电阻的侧面形成侧墙的工艺步骤。

7.如权利要求1所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：步骤二对所述多晶硅层进行刻蚀之后还包括在所述NMOS器件的多晶硅栅、所述PMOS器件的多晶硅栅和所述多晶硅电阻的侧面形成侧墙的工艺步骤。

8.如权利要求1所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：步骤七的所述快速热退火之后还包括在所述多晶硅电阻的顶部表面和侧面形成金属硅化物阻挡层的步骤。

9.如权利要求2所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：在所述硅衬底表面形成有场氧层，由所述场氧层隔离出有源区。

10.如权利要求9所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述场氧层为局部氧化工艺形成的局部场氧层。

11.如权利要求9所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述场氧层为采用浅沟槽隔离工艺形成浅沟槽场氧层。

12.如权利要求9所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述多晶硅电阻位于所述场氧层顶部。

13.如权利要求9所述的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述NMOS器件位于所述有源区中；所述PMOS器件位于所述有源区中。