[发明专利]CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法

说明书

本发明公开了一种CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，包括如下步骤：依次形成栅介质层和多晶硅层；进行光刻刻蚀同时形成多晶硅栅和多晶硅电阻；定义出N型源漏注入的注入区域，该区域同时包括多晶硅电阻的形成区域；进行N型源漏注入，该N型源漏注入同时将N型杂质注入到多晶硅电阻中；定义出P型源漏注入的注入区域，该区域同时包括多晶硅电阻的形成区域；进行P型源漏注入，该P型源漏注入同时将P型杂质注入到多晶硅电阻中；进行快速热退火实现杂质激活。本发明能降低成本。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法。

背景技术

在半导体制造过程中，一般会特别有一层光刻定义高阻区域，通过注入来制作多晶硅的高电阻。如图1A至图1B所示，是现有CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法各步骤中的结构示意图；现有CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法包括步骤：

如图1A所示，在半导体衬底如硅衬底101表面形成场氧层102，场氧层102隔离出有源区，有源区即为通过场氧层102围绕的硅区域，用于形成有源器件，如CMOS工艺中的NMOS器件和PMOS器件都形成于有源区中。

之后在硅衬底101表面依次形成栅介质层如栅氧化层103和多晶硅层。

采用光刻刻蚀工艺多所述多晶硅层进行刻蚀同时形成NMOS器件的多晶硅栅104a、PMOS器件的多晶硅栅104b和多晶硅电阻104c。

如图1B所示，接着采用单独的光罩，进行光刻形成光刻胶图形105定义出多晶硅电阻104c的注入区域。以光刻胶图形105为掩膜进行多晶硅电阻104c的注入来调节多晶硅电阻104c的阻值。

接着完成NMOS器件和PMOS器件的其它工艺。

由上可知，多晶硅电阻104c的电阻调节需要单独采用一次光刻，需要增加额外的光罩和离子注入，成本较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，能降低成本。

为解决上述技术问题，本发明提供的CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法包括如下步骤：

步骤一、依次在半导体衬底表面形成栅介质层和多晶硅层。

步骤二、采用光刻刻蚀工艺多所述多晶硅层进行刻蚀同时形成NMOS器件的多晶硅栅、PMOS器件的多晶硅栅和多晶硅电阻。

步骤三、采用NMOS器件的N型源漏注入的光罩定义出所述N型源漏注入的注入区域，所述N型源漏注入的注入区域同时包括所述多晶硅电阻的形成区域。

步骤四、进行所述N型源漏注入在所述NMOS器件的多晶硅栅两侧形成N+掺杂的源漏区，所述N型源漏注入同时将N型杂质注入到所述多晶硅电阻中。

步骤五、采用PMOS器件的P型源漏注入的光罩定义出所述P型源漏注入的注入区域，所述P型源漏注入的注入区域同时包括所述多晶硅电阻的形成区域。

步骤六、进行所述P型源漏注入在所述PMOS器件的多晶硅栅两侧形成P+掺杂的源漏区，所述P型源漏注入同时将P型杂质注入到所述多晶硅电阻中。

步骤七、采用快速热退火对所述NMOS器件的源漏区、所述PMOS器件的源漏区以及所述多晶硅电阻的杂质进行激活，所述多晶硅电阻由步骤四注入的N型杂质和步骤六注入的P型杂质的叠加确定。

进一步的改进是，步骤一中所述半导体衬底为硅衬底。

进一步的改进是，步骤一中所述栅介质层为采用热氧化工艺形成的栅氧化层。

进一步的改进是，步骤三和步骤四组成的整体步骤能和步骤五和步骤六组成的整体步骤在工艺顺序上互换。