[发明专利]半导体组件的制造方法

说明书

本申请是基于申请号为200810176175.2，申请日为2008年11月14日，发明名称为“半导体组件的制造方法”的中国专利申请提出的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体组件的制造方法，所述半导体组件例如是功率半导体模块的组成部件。这种功率半导体模块按照现有技术具有外壳，带有功率半导体构件的基片，以及负载和辅助连接单元。以下所述半导体构件例如是指作为功率半导体模块的组成部件的组件，所述模块包括基片和与基片材料一体地相连的半导体构件，或者包括半导体构件和材料一体相连的连接单元，或者包括它们的组合。这里不仅仅包括基片，而且也包括连接装置意义下的连接单元。

背景技术

为了制造这种半导体组件，现有技术已公开了焊接和烧结方法。DE19911887C1公开了一种软熔焊接方法，其特点是增设了真空装置。这里在本来的气相焊接过程之后焊接件被送入所述真空装置。这样有效地避免了收缩凹孔的形成，因为可能形成的收缩凹孔借助于真空从焊剂中被排除。

已知的这种焊接方法的缺点例如是：接在半导体组件的焊接之后通常必须跟着一个清洗工序，以借助于清洗液去除焊剂残留物。

DE102004019567B3公开了压力烧结方法的最新改进，其特点是借助于承载薄膜上的雾状涂层设置烧结膏的专用方法。在进一步的工序中预干燥的烧结膏从承载薄膜被去除并且设置在要被结合的表面上。已知的银粉和诸如环己醇的焊剂的混合物被用作该烧结方法的烧结膏。

这种借助于机械压力的已知烧结方法的缺点在于，它们通常只能同时形成一个烧结连接，并且/或者特别是在半导体构件的结合时存在构件破损的危险。

用于半导体组件的连接装置的新型实现方式例如在DE102006015198A1中被公开。在此这种连接装置被设计成特殊的有柔韧性的印刷电路板的结构。此结构具有由导电层和绝缘层交替排列构成的薄膜型层结构。

发明内容

本发明的目的在于改进已知的在至少一个半导体构件与至少一个连接装置之间采用材料一体连接的半导体组件制造方法，其中结合双方至少部分地没有与施加压力和/或温度的介质形成直接接触。

上述任务按照本发明由具有权利要求1所述特征的方法完成。从属权利要求给出本发明的优选实施方式。

本发明所述的用于制造半导体组件的方法的出发点是上面所述的功率半导体模块。用于这种功率半导体模块的半导体组件应满足多个要求，这些要求在现有技术中至少部分地相互排斥。这些要求中包括在半导体构件与连接装置之间形成在功率半导体模块正常加载时也能持久地保持和承载材料一体的连接。另一方面也要求半导体组件的制造成本低廉且较为省时。

按照本发明，用于形成这种半导体组件的制造方法具有以下主要步骤：

A)构造一种结构，该结构具有至少一个半导体构件，至少一个连接装置和至少一种设置在它们之间的结合剂；这里最好是将多个功率半导体构件同时排列在一个基片上。其中结合剂，最好是焊接或烧结膏例如借助于丝网印刷被设置到基板上，更确切地说，设置到基片的相应连接面上，并且在连接面上设置分别材料一体连接的功率半导体构件。

B)在下一步骤中按照A)构造的结构被可逆地且整个地、最好是用塑料薄膜封装起来；这里特别具有优点的是此结构被放入一个软管形构造的塑料薄膜中，然后它被抽真空和封闭。这样形成了对此结构的保护而不受其它制造工序影响。另一个优选的封装实现方式是用少量的粘胶材料，例如硅橡胶，它不是整个地包住此结构。

C)形成至少一个半导体构件单元与至少一个连接装置的材料一体连接；这种材料一体连接最好实现为焊接或烧结结合。这里特别优选的是借助于液体介质在所述结构上施加温度和/或压力。其中封装起到了相对液体介质的保护层的作用。这样不仅避免了结合剂的污染，而且也避免了结合剂被冲刷掉的可能性。同时封装只轻微影响温度和/或压力的施加。

D)在设计成可逆封装的情况下封装接着被去除。从而使半导体组件、例如功率半导体模块的后续处理可以不进行其它的工序，例如在焊接方法中经常进行的清洗工序。

所建议的制造半导体组件的方法避免了原理上已知的材料一体连接方法的缺点，并可以采用液体介质。这样，特别是在烧结结合时可以利用流体静力学的压力导入相对于机械加压的优点。此优点首先在于各向均匀的压力导入，它特别避免了施压时半导体构件的破损危险，或者至少明显降低了这种危险。

附图说明