[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在半导体衬底上形成隧穿层；

在该隧穿层上形成具有多晶半导体的半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及

形成连接到所述半导体层的电极，

其中，在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层，

其中，在形成所述隧穿层的步骤中，所述温度在从600℃到800℃的范围内，并且所述压力在从0.01托到2托的范围内，

其中，在形成具有所述多晶半导体的所述半导体层的步骤中，所述温度在从600℃到700℃的范围内，并且所述压力在从0.01托到0.5托的范围内，

形成所述隧穿层的步骤和形成所述半导体层的步骤通过在同一设备中连续进行的原位处理来进行，

其中，所述方法还包括以下步骤：在形成所述半导体层的步骤和形成所述电极的步骤之间形成覆盖层，

其中，所述覆盖层包括与所述隧穿层相同的材料，

其中，形成所述隧穿层和所述覆盖层的步骤在包括氧气的气氛下进行，所述隧穿层和所述覆盖层包括氧化物，

其中，所述半导体层包括第一导电类型区域、第二导电类型区域和屏障区域，所述第一导电类型区域包括具有第一导电类型的第一导电类型杂质，所述第二导电类型区域包括具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电类型杂质，所述屏障区域设置在所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间，

其中，所述屏障区域是本征的，

其中，形成所述半导体层的步骤包括以下步骤：

通过用所述第一导电类型杂质对所述半导体层的区域进行掺杂来形成所述第一导电类型区域，以及

通过用所述第二导电类型杂质对所述半导体层的另一区域进行掺杂来形成所述第二导电类型区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电类型区域、所述第二导电类型区域和所述屏障区域在所述隧穿层上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述半导体层之前，所述隧穿层不露出于外部。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隧穿层的步骤执行达5分钟到30分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隧穿层包括通过热氧化处理形成的热氧化层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隧穿层的步骤的气氛包括氮气和氯气。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隧穿层具有1.0nm到1.5nm的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隧穿层的步骤和形成所述半导体层的步骤在低压化学气相沉积设备进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隧穿层的步骤和形成所述半导体层的步骤在不同的气氛中进行。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述半导体层的步骤在包括包含硅的气体的气氛中进行。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述半导体层的压力小于形成所述隧穿层的压力。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层比所述隧穿层厚。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述半导体层的步骤包括用杂质对所述半导体层掺杂，以及

其中，形成所述隧穿层的步骤、形成所述半导体层的步骤以及形成所述覆盖层的步骤通过在同一设备中连续进行的原位处理来进行。

14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成所述覆盖层的步骤和形成所述电极的步骤之间对所述半导体层进行热处理以便活化，以及

其中，形成所述隧穿层的步骤、形成所述半导体层的步骤、形成所述覆盖层的步骤以及所述热处理的步骤通过在同一设备中连续进行的原位处理来进行。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述覆盖层具有50nm至100nm的厚度。

16.一种通过根据权利要求1所述的方法制造的太阳能电池，其中，所述太阳能电池的隧穿层具有2nm或更小的厚度。