[发明专利]太阳能电池及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及太阳能电池及其制造方法，更具体地，涉及具有隧穿结构的太阳能电池及其制造方法。

背景技术

在最近几年，随着诸如石油和煤炭的传统能源枯竭，对用于代替这些能源的替代能源的关注正在增加。当然，太阳能电池作为下一代电池吸引了很多注意，其将太阳能转换为电能。

这种太阳能电池是通过根据设计方案形成各个层和电极制造的。太阳能电池的效率可以根据各个层和电极的设计来确定。应克服低效率，使得太阳能电池投入实际使用。因此，各个层和电极应被设计成使得太阳能电池的效率最大化。并且，用于制造具有各个层和电极的太阳能电池的方法应简化。

发明内容

本发明的实施方式提供具有增强的效率的太阳能电池以及具有简化的制造处理的制造太阳能电池的方法。

一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。

一种通过以上方法制造的太阳能电池，该太阳能电池包括具有约2nm或更小的厚度的隧穿层。

附图说明

图1是根据本发明的实施方式的用于制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池的示例的截面图；

图2是图1例示的太阳能电池的部分后视平面图；

图3a到图3g是例示根据本发明的实施方式的用于制造太阳能电池的方法的截面图；

图4a到图4h是用于例示根据本发明的另一个实施方式的用于制造太阳能电池的方法的截面图；

图5是根据示例1到3和比较示例1制造的太阳能电池的隧穿层的厚度的图；

图6是根据试验示例1到3和比较示例1的太阳能电池的电流(I)-电压(V)图；

图7是根据隧穿层的厚度的填充因数图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的实施方式，在附图中例示出了其示例。然而，本发明可以许多不同的形式实施，而不应解释为限于本文所阐述的实施方式；

在附图中仅例示了构成本发明的特征的元件，并且为了清楚描述，不构成本发明的特征的其它元件将不在此描述并且在附图中省略。类似的附图标记通篇指代类似的要素。在附图中，为了例示的清楚和方便，组成元件的厚度、面积等可以夸大或缩小。本发明的实施方式不限于所例示的厚度、面积等。

应理解的是在本说明书中，当一个元件被称为“包括”或“包含”另一个元件时，“包括”或“包含”规定另一个元件的存在，但不排除其它附加元件的存在，除非上下文清楚地相反指示。另外，将理解的是，当诸如层、区域或板之类的元件被称为“位于”另一元件“上”时，该一个元件可以直接位于另一元件上，或也可以存在一个或更多个中间元件。相反，当诸如层、区域或板之类的元件被称为“直接在”另一个元件上时，不存在一个或更多个中间元件。

在下文，将参照附图详细描述根据本发明的实施方式的用于制造太阳能电池的方法。将描述通过根据本发明的实施方式的用于制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池的示例，接着，将描述根据本发明的实施方式的用于制造太阳能电池的方法。

图1是根据本发明的实施方式的用于制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池的示例的截面图；并且图2是图1例示的太阳能电池的部分后视平面图。

参照图1和图2，根据本发明的实施方式的太阳能电池100包括：包括基底区域110的半导体衬底10、在半导体衬底10上的隧穿层20、包括导电类型区域32和34的在隧穿层20上的半导体层30、以及连接到导电类型区域32和34的电极42和电极44。在此例子中，半导体层30可以包括第一导电类型区域32、第二导电类型区域34和屏障区域36。第一导电类型区域32具有第一导电类型，并且第二导电类型区域34具有第二导电类型。屏障区域36可以定位在第一导电类型区域32和第二导电类型区域34之间，并且屏障区域36是本征的。电极42和44包括连接到第一导电类型区域32的第一电极42和连接到第二导电类型区域34的第二导电类型区域34。太阳能电池100可以还包括钝化层24、防反射层26、绝缘层40等。这将在下面更详细地描述。