[发明专利]高密度芯片到芯片连接

权利要求书

1.一种装置，包括：

至少第一集成电路IC管芯和第二IC 管芯，其中所述第一和第二IC 管芯的底表面包括多个第一连接焊盘，并且所述第一和第二IC 管芯的顶表面包括多个第二连接焊盘；

非导电材料层，其覆盖所述第一和第二IC 管芯的顶表面，所述非导电材料层具有接触所述第一和第二IC 管芯的底表面和与所述底表面相对的顶表面；

多个通孔，其包括所述第一IC 管芯中的至少一个通孔，其从所述第一IC 管芯的底表面穿过所述IC 管芯并且穿过所述非导电材料层延伸到所述非导电材料层的所述顶表面，和所述第二IC 管芯中的至少一个通孔，其从所述第二IC 管芯的底表面穿过所述第二IC管芯并穿过所述非导电材料层延伸到所述非导电材料层的所述顶表面；

第一导电互连，其在所述多个第一连接焊盘中的至少一部分和所述多个通孔中的至少一个通孔之间；以及

第二导电互连，其在所述非导电材料层的所述顶表面上，所述第二导电互连在所述多个第二连接焊盘中的至少一部分和所述第一和第二IC 管芯的所述通孔之间提供电连续性。

2.根据权利要求1 所述的装置，其中所述多个通孔中的至少一个通孔被包括在所述非导电材料层中，并且延伸到所述非导电材料层的顶表面，并且所述第二导电互连向被包括在所述非导电材料层中的所述至少一个通孔提供电连续性。

3.根据权利要求1 所述的装置，其中所述非导电材料层包括在所述第一和第二IC 管芯上的层压材料的模制层。

4.根据权利要求1 所述的装置，其中所述非导电材料层包括在所述第一和第二IC 管芯上的重构晶片的模制层。

5.根据权利要求4 所述的装置，包括在所述第一和第二IC 管芯的顶表面和底表面的至少一个上的重新分布层，其中所述第一导电互连的一部分或者所述第二导电互连的一部分中的至少一个被包括在所述重新分布层中。

6.根据权利要求1-5 中任一项所述的装置，包括所述IC 管芯的底侧上的一个或者多个着落盘，并且所述多个通孔中的至少一个通孔在所述至少一个着落盘和所述第二导电互连之间提供电连续性。

7.根据权利要求1 所述装置，其中所述第二导电互连包括被布置在所述第一和第二IC管芯的顶表面上的桥接组件。

8.根据权利要求7 所述的装置，包括：

基板，其中所述第一和第二IC 管芯被布置在所述基板上；

第一接合层，其在所述第一和第二IC 管芯的底表面和所述基板的第一侧之间；

第二接合层，其在所述桥接组件和所述第一和第二IC 管芯的顶表面之间；以及

多个接合焊盘，其被布置在所述基板的第二侧上，以及焊接凸点，其被布置在所述接合焊盘中的至少一部分上。

9.根据权利要求7 或8 所述的装置，包括所述第一IC 管芯和第二IC 管芯的底表面中的每一个上的一个或者多个接合焊盘，并且所述第一导电互连在所述第一IC 管芯的接合焊盘和所述第一IC 管芯的至少一个通孔之间提供电连续性以及在所述第二IC 管芯的接合焊盘和所述第二IC 管芯的至少一个通孔之间提供电连续性，以及所述第二导电互连在所述第一IC 管芯的至少一个通孔和所述第二IC 管芯的至少一个通孔之间提供电连续性。

10.根据权利要求1 所述的装置，其中所述第一IC 管芯仅包括数字电路，并且所述第二IC管芯包括模拟电路。