[发明专利]光源装置和曝光装置

说明书

技术领域

本发明涉及光源装置和曝光装置，所述光源装置和曝光装置适用于对印刷基板、半导体晶片、液晶显示器等应用基于光刻法的曝光工序中所用的直接描绘方法。

背景技术

以往，对于采用光刻法的电路图案形成即所谓的曝光工序，广泛使用采用了光掩膜的密合式曝光装置，然而近年来，为了配合电路的高精细、高密度化而采用如下的直描式曝光装置，所述直描式曝光装置采用不使用光掩膜的DMD(数字微镜装置，digitalmicromirrordevice)等光调制元件对光进行调制并进行曝光(专利文献1)。

但是，为了能够实现高精细的图案形成，该直描式曝光装置中采用的光源为单波长的情况较多。另一方面，还存在有些被曝光的抗蚀剂具有宽波段的感光度，因而如果是单波长则无法充分硬化的情况或曝光时间变长的情况。

因此，提出了如下结构的光源装置：如专利文献2所示，使用多个具有不同的波长特性的光源，并利用透镜进行聚光。

专利文献1：日本特开2006-267719

专利文献2：日本特开2012-063390

但是，在构成为采用不同波长的多个光源和透镜的结构的情况下，需要确保按照规定的排列方式严格配置光源而成的光源阵列和透镜阵列，存在装置复杂化的问题。

发明内容

本发明的目的在于解决这种现有技术的缺点。

为了达成上述目的，本发明的光源装置的特征在于，所述光源装置具有：1个激光二极管，其射出具有规定的波长特性的激光；其他的激光二极管，其射出具有不同于所述规定的波长特性的其他波长特性的激光；多个第1光纤束，其具有：1条第1光纤，其在入射端入射来自所述1个激光二极管的射出光并在出射端射出；其他的第1光纤，其在入射端入射来自所述其他的激光二极管的射出光并在出射端射出；以及第2光纤，其聚集所述1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光，该多个第1光纤束将所述1条第1光纤和所述其他的第1光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集该1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光并使其入射到所述第2光纤的入射端；

第2光纤束，其具有聚集所述第2光纤的射出光的第3光纤，该第2光纤束将所述多个第1光纤束部的多个第2光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集各第2光纤的射出光并使其入射到所述第3光纤的入射端；以及输出部，其连接于所述第3光纤的输出端，用于对外部进行输出。

优选所述光源装置具有控制装置，该控制装置对所述激光二极管单独地进行点亮、非点亮控制和输出控制中的至少一个控制。并且，优选所述光源装置具有控制装置，该控制装置对所述激光二极管按照规定的组进行点亮、非点亮控制和输出控制中的至少一个控制。

此外，本发明的曝光装置通过空间光调制元件对从光源装置发出的光进行调制，并利用该调制后的光使感光材料曝光，所述空间光调制元件排列有分别独立地进行调制的多个像素部，其特征在于，该曝光装置使用上述光源装置。

根据本发明的光源装置和曝光装置，由于采用混合了多个波长的曝光波长的光源，因此能够应对宽范围的抗蚀剂。并且，不需要按照规定的排列严格地配置光源，并且也不需要透镜阵列，能够将装置简化。并且，能够简单地进行激光二极管的增设，从而简单地实现高照度化。

此外具有如下等效果：如果通过设置控制装置来进行激光二极管的点亮控制或输出控制，就能够变更每个波长的照度比例，能够提供最佳的曝光条件。

附图说明

图1是示出本发明的光源装置的一个实施方式的结构图。

图2是示出本发明的曝光装置的一个实施方式的立体图。

图3是概略性地示出本发明的曝光装置的一个实施方式中的曝光头的结构的说明图。

标号说明

1：LD模块；2：LD模块；3：LD光纤；4：连接器；5：第1光纤；6：第1连接器；7：第2光纤；9：第3光纤；10：第2连接器；12：基板(曝光对象)；14：曝光部；18：曝光头；19：光源单元；40：入射光学系统；41：光调制部；42：第1成像光学系统；43：微透镜阵列；43a：微透镜；44：窗孔阵列；44a：窗孔；45：第2成像光学系统(投影光学系统)；56：DMD(空间光调制元件)；99：控制装置；b1：第1光纤束部；b2：第2光纤束部；A：光源装置；B：曝光装置B。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。