[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201510320055.5 | 申请日: | 2015-06-11 |
公开(公告)号: | CN105304135A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 安正烈 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/14 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
存储块,其包括多个存储器单元;以及
运算电路,其配置成基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环,
其中所述第一编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成四个电平,
其中所述第二编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成七个电平,以及
其中所述第三编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成八个电平。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述运算电路被配置成设置所述第一编程循环的编程电压的第一增加步进、所述第二编程循环的编程电压的第二增加步进、以及所述第三编程循环的编程电压的第三增加步进,
其中,所述第一增加步进不同于所述第二增加步进,所述第二增加步进不同于所述第三增加步进。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其中所述运算电路被配置为设置所述第一增加步进以具有最大的增加步进,以及设置所述第三增加步进以具有最少的增加步进。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第一编程循环,使得处于擦除状态的存储器单元的阈值电压被分别分布为擦除电平和三个编程电平。
5.如权利要求4所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第一编程循环,使得用于储存所述擦除电平的数据以及第一编程电平和第二编程电平的数据的存储器单元的阈值电压被分布成所述擦除电平。
6.如权利要求4所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第一编程循环,使得用于储存第三编程电平和第四编程电平的数据的存储器单元的阈值电压、用于储存第五编程电平和第六编程电平的数据的存储器单元的阈值电压、以及用于储存第七编程电平的数据的存储器单元的阈值电压被分布成三个编程电平。
7.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第二编程循环,使得所述第一编程循环完成之后的所述存储器单元的阈值电压被分别分布为擦除电平和六个编程电平。
8.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第二编程,使得用于储存所述擦除电平的数据和第一编程电平的数据的存储器单元的阈值电压被分布成所述擦除电平。
9.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第二编程循环,使得用于储存第二编程电平至第七编程电平的数据的存储器单元的阈值电压被分别分布成六个编程电平。
10.一种存储系统,包括:
存储器控制器,其包括中央处理单元,且配置成接收和传送命令到非易失性存储器件,所述非易失性存储器件包括:
存储块,其包括多个存储器单元;以及
运算电路,其配置成接收所述命令并且基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环,
其中所述第一编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成四个电平,
其中所述第二编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成七个电平,以及
其中所述第三编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成八个电平。
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