[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201510320055.5 申请日: 2015-06-11
公开(公告)号: CN105304135A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 安正烈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/14
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

存储块,其包括多个存储器单元;以及

运算电路,其配置成基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环,

其中所述第一编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成四个电平,

其中所述第二编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成七个电平,以及

其中所述第三编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成八个电平。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述运算电路被配置成设置所述第一编程循环的编程电压的第一增加步进、所述第二编程循环的编程电压的第二增加步进、以及所述第三编程循环的编程电压的第三增加步进,

其中,所述第一增加步进不同于所述第二增加步进,所述第二增加步进不同于所述第三增加步进。

3.如权利要求2所述的半导体器件,其中所述运算电路被配置为设置所述第一增加步进以具有最大的增加步进,以及设置所述第三增加步进以具有最少的增加步进。

4.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第一编程循环,使得处于擦除状态的存储器单元的阈值电压被分别分布为擦除电平和三个编程电平。

5.如权利要求4所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第一编程循环,使得用于储存所述擦除电平的数据以及第一编程电平和第二编程电平的数据的存储器单元的阈值电压被分布成所述擦除电平。

6.如权利要求4所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第一编程循环,使得用于储存第三编程电平和第四编程电平的数据的存储器单元的阈值电压、用于储存第五编程电平和第六编程电平的数据的存储器单元的阈值电压、以及用于储存第七编程电平的数据的存储器单元的阈值电压被分布成三个编程电平。

7.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第二编程循环,使得所述第一编程循环完成之后的所述存储器单元的阈值电压被分别分布为擦除电平和六个编程电平。

8.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第二编程,使得用于储存所述擦除电平的数据和第一编程电平的数据的存储器单元的阈值电压被分布成所述擦除电平。

9.如权利要求7所述的半导体器件,其中所述运算电路执行所述第二编程循环,使得用于储存第二编程电平至第七编程电平的数据的存储器单元的阈值电压被分别分布成六个编程电平。

10.一种存储系统,包括:

存储器控制器,其包括中央处理单元,且配置成接收和传送命令到非易失性存储器件,所述非易失性存储器件包括:

存储块,其包括多个存储器单元;以及

运算电路,其配置成接收所述命令并且基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环,

其中所述第一编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成四个电平,

其中所述第二编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成七个电平,以及

其中所述第三编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成八个电平。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510320055.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top