[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年6月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0076439号的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

各个实施例总体上涉及半导体器件。更具体地，各个实施例涉及能够储存数据的半导体器件。

背景技术

在快闪存储器件中，存储器单元的阈值电压基于储存的数据而改变。当一个比特数据储存在单位存储器单元中时，存储器单元的阈值电压分布成擦除电平和编程电平。当两个比特数据储存在单位存储器单元中时，存储器单元的阈值电压分布成擦除电平和三个不同的编程电平。当三个比特数据储存在单位存储器单元中时，存储器单元的阈值电压分布成擦除电平和七个不同的编程电平。

为了将数据储存在存储器单元中，通过增量步进脉冲编程(ISPP)方法对包括编程操作和编程验证操作的编程循环进行重复。在每个编程循环增加编程电压，直至数据正常储存在存储器单元中。

当储存在单位存储器单元中的数据的比特数量增加时，需要用于储存数据的有效方法。

发明内容

在一个实施例中，提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：存储块，其包括多个存储器单元；以及运算电路，其配置成基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环。所述第一编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成四个电平。所述第二编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成七个电平。所述第三编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成八个电平。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括具有多个存储器单元的存储块。所述半导体器件还可以包括运算电路，其配置为基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环。所述第一编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成第一多个电平。所述第二编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成第二多个电平。所述第三编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成第三多个电平。

在一个实施例中，一种存储系统包括：存储器控制器，其包括中央处理单元且配置成接收和传送命令到非易失性存储器件。所述非易失性存储器件可以包括：包括多个存储器单元的存储块。所述半导体器件还可以包括运算电路，其配置成接收所述命令并且基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环。所述第一编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成第一多个电平。所述第二编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成第二多个电平。所述第三编程循环可以将所述存储器单元的阈值电压分布成第三多个电平。

附图说明

图1是说明根据实施例的实例的半导体器件的代表的框图。

图2是说明图1所示的存储块的代表的电路图。

图3A到图3D是说明根据实施例的实例的操作半导体器件的方法中的电压分布的代表的图。

图4是说明根据实施例的实例的存储系统的代表的框图。

图5是说明根据实施例的实例的融合存储器件(fusionmemorydevice)的代表或执行编程操作的融合存储系统(fusionmemorysystem)的代表的框图。

图6是说明根据实施例的实例的包含快闪存储器件的计算系统的代表的框图。

具体实施方式

在下文中将参考附图更详细地描述实施例，在附图中示出了实施例的各个实例。然而，这些实施例可以采用不同形式来实施，而应不解释为局限于本文所列的实施例。

各种实施例可以针对能够减小芯片尺寸和有效地储存数据的半导体器件。

根据各种实施例的半导体器件，芯片的尺寸可以减小，并且储存数据的可靠性和效率可以得到改进。

图1是说明根据实施例的实例的半导体器件的代表的框图。

参考图1，半导体器件可以包括存储器阵列110和运算电路120到170。存储器阵列110可以包括多个存储块110MB。每个存储块110MB的结构将参照图2进行说明。

图2是说明图1所示的存储块的电路图的代表。