[发明专利]一种阵列基板、制备方法及显示装置在审
申请号: | 201510320741.2 | 申请日: | 2015-06-11 |
公开(公告)号: | CN104916648A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 严允晟;林允植;崔贤植;李会;田允允 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上且界定像素区域的多条栅线和数据线,其特征在于,还包括:
位于所述像素区域内的像素电极和公共电极,所述像素电极和所述公共电极异层设置;
屏蔽电极,所述屏蔽电极至少形成于所述衬底基板上对应所述数据线的区域,所述屏蔽电极与所述公共电极异层设置,且与所述像素电极、所述公共电极无电性连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述屏蔽电极与所述像素电极同层设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极与所述数据线同层设置。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:公共电极线,所述公共电极与所述公共电极线同层设置,且所述公共电极线与所述公共电极电性连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线与所述公共电极电性连接包括:
所述公共电极线与所述公共电极通过金属线电性连接。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极、所述公共电极线、所述栅线与栅极同层设置。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述屏蔽电极的宽度大于所述数据线的宽度。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述屏蔽电极还形成于所述衬底基板上对应所述栅线的区域。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成第一导电层图案,所述第一导电层图案包括位于像素区域的公共电极;
形成覆盖所述第一导电层图案的绝缘层;
在所述绝缘层上形成第二导电层图案,所述第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极,所述像素电极位于所述像素区域内,所述屏蔽电极至少形成于所述衬底基板上对应数据线的区域,且与所述公共电极无电性连接。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述第一导电层图案还包括与所述公共电极同层设置的数据线、源极和漏极。
12.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述第一导电层图案还包括与所述公共电极同层设置的公共电极线,和/或栅线、栅极,和/或用以连接所述公共电极和所述公共电极线的金属线。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一导电层图案的绝缘层包括:依次形成覆盖所述第一导电层图案的第一绝缘子层和第二绝缘子层;
在形成所述第一绝缘子层之后,在形成所述第二绝缘子层之前,所述方法还包括:在所述第一绝缘子层上形成第三导电层图案,所述第三导电层图案包括数据线、源极和漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的