[发明专利]一种阵列基板、制备方法及显示装置在审
申请号: | 201510320741.2 | 申请日: | 2015-06-11 |
公开(公告)号: | CN104916648A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 严允晟;林允植;崔贤植;李会;田允允 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、制备方法及显示装置。
背景技术
在阵列基板中,数据线的电压随时间的高低变化引起的瞬时电磁信号通常会影响到像素电极和公共电极电压的稳定性,即数据线产生的电场对像素电极和公共电极产生了串扰,影响了像素电极与公共电极之间的电压差,从而影响了阵列基板的显示画质。
为了尽量减小数据线的串扰引起的画质问题,现有技术通常采用对应数据线区域设置的屏蔽电极来屏蔽数据线的串扰。如图1所示,现有阵列基板可以包括衬底基板01、设置在衬底基板01上数据线02、薄膜晶体管03,与薄膜晶体管03的漏极03a连接的像素电极04,与像素电极04对向设置的公共电极05,与数据线02对应设置的屏蔽电极06。其中,屏蔽电极06与公共电极05同层设置,且电性连接。
在图1所示结构的阵列基板中,当数据线形成的电场对屏蔽电极的电压造成影响使得屏蔽电极的电压不稳时,由于屏蔽电极与公共电极电性连接,因而公共电极的电压也会随着屏蔽电极的变化而一起变化,从而使得整个阵列基板的公共电极电压不稳,进而使得像素电极与公共电极之间的电压差发生变化,从而影响了整个阵列基板的画质。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板、制备方法及显示装置,能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳,从而影响整个阵列基板的画质的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供了一种阵列基板,衬底基板,位于所述衬底基板上且界定像素区域的多条栅线和数据线,还包括:
位于所述像素区域内的像素电极和公共电极,所述像素电极和所述公共电极异层设置;
屏蔽电极,所述屏蔽电极至少形成于所述衬底基板上对应所述数据线的区域,所述屏蔽电极与所述公共电极异层设置,且与所述像素电极、所述公共电极无电性连接。
结合第一方面,在第一方面的第一种可能的实现方式中,所述屏蔽电极与所述像素电极同层设置。
结合第一方面的第一种可能的实现方式,在第一方面的第二种可能实现的方式中,所述公共电极与所述数据线同层设置。
结合第一方面的第一种可能的实现方式,在第一方面的第三种可能实现的方式中,还包括:公共电极线,所述公共电极与所述公共电极线同层设置,且所述公共电极线与所述公共电极电性连接。
结合第一方面的第三种可能的实现方式,在第一方面的第四种可能实现的方式中,所述公共电极线与所述公共电极电性连接包括:
所述公共电极线与所述公共电极通过金属线电性连接。
结合第一方面的第三或第四种可能的实现方式,在第一方面的第五种可能的实现方式中,所述公共电极、所述公共电极线、所述栅线与栅极同层设置。
结合第一方面,在第一方面的第六种可能的实现方式中,所述屏蔽电极的宽度大于所述数据线的宽度。
结合第一方面,在第一方面的第七种可能的实现方式中,所述屏蔽电极还形成于所述衬底基板上对应所述栅线的区域。
第二方面,提供一种显示装置,包括第一方面任一项所述的阵列基板。
第三方面,提供一种阵列基板的制备方法,包括:
在衬底基板上形成第一导电层图案,所述第一导电层图案包括位于像素区域的公共电极;
形成覆盖所述第一导电层图案的绝缘层;
在所述绝缘层上形成第二导电层图案,所述第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极,所述像素电极位于所述像素区域内,所述屏蔽电极至少形成于所述衬底基板上对应数据线的区域,且与所述公共电极无电性连接。
结合第三方面,在第三方面的第一种可能的实现方式中,所述第一导电层图案还包括与所述公共电极同层设置的数据线、源极和漏极。
结合第三方面,在第三方面的第二种可能的实现方式中,所述第一导电层图案还包括与所述公共电极同层设置的公共电极线,和/或栅线、栅极,和/或用以连接所述公共电极和所述公共电极线的金属线。
结合第三方面的第二种可能的实现方式,在第三方面的第三种可能实现的方式中,所述形成覆盖所述第一导电层图案的绝缘层包括:依次形成覆盖所述第一导电层图案的第一绝缘子层和第二绝缘子层;
在形成所述第一绝缘子层之后,在形成所述第二绝缘子层之前,所述方法还包括:在所述第一绝缘子层上形成第三导电层图案,所述第三导电层图案包括数据线、源极和漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的