[发明专利]离型膜及其制备方法

权利要求书

1.一种离型膜，其特征在于，所述离型膜包括由下往上依次层叠设置的基材原膜、中间层和离型层，其中，所述中间层为包含环氧基和不饱和官能基团的树脂涂层；并且

所述中间层为由第一硅烷和第二硅烷在酸性环境下反应形成的树脂涂层，其中，所述第一硅烷为环氧基硅烷或环氧基氟硅烷，所述第二硅烷为不饱和官能基硅烷或不饱和官能基氟硅烷；其中：

所述中间层的厚度为1～小于50纳米，并且

所述离型层的厚度为1～30纳米。

2.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述中间层还包含羟基。

3.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述中间层为含硅或含氟的树脂涂层。

4.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述第一硅烷的结构式如式Ⅰ所示，并且所述第二硅烷的结构式如式Ⅱ所示，其中，

式Ⅰ为

式Ⅱ为且m、n均为大或于等于1的整数，R₁、R₂和R₃独立地选自H、C1-C8的烷基或者C1-C8的烷基的氟代烷基；R₄选自H、C1-C20的烷基或者氟代烷基、C1-C20的酯基或者氟代酯基、C1-C20的醚基或者氟代醚基；R₅和R₆独立地选自CH₂或CF₂；R₇选自C1-C20的烷基或者氟代烷基、C1-C20的酯基或者氟代酯基、C1-C20的醚基或者氟代醚基。

5.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述环氧基硅烷选自环氧基-甲氧基硅烷、环氧基-乙氧基硅烷或环氧基-丙氧基硅烷；所述不饱和官能基硅烷选自不饱和官能基-甲氧基硅烷、不饱和官能基-乙氧基硅烷或不饱和官能基-丙氧基硅烷；所述环氧基氟硅烷选自环氧基-甲氧基氟硅烷、环氧基-乙氧基氟硅烷或环氧基-丙氧基氟硅烷；所述不饱和官能基氟硅烷选自不饱和官能基-甲氧基氟硅烷、不饱和官能基-乙氧基氟硅烷或不饱和官能基-丙氧基氟硅烷。

6.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述中间层为由20％～75％wt的所述第一硅烷、20％～75％wt的所述第二硅烷和1％～20％wt的盐酸溶液反应形成的树脂涂层。

7.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述中间层为由20％～70％wt的所述第一硅烷、20％～75％wt的所述第二硅烷和1％～20％wt的盐酸溶液反应形成的树脂涂层。

8.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述中间层为由20％～70％wt的所述第一硅烷、20％～70％wt的所述第二硅烷和1％～20％wt的盐酸溶液反应形成的树脂涂层。

9.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述中间层为由20％～70％wt的所述第一硅烷、20％～75％wt的所述第二硅烷和1％～15％wt的盐酸溶液反应形成的树脂涂层。

10.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述中间层为由20％～70％wt的所述第一硅烷、20％～70％wt的所述第二硅烷和1％～15％wt的盐酸溶液反应形成的树脂涂层。

11.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述离型层为含有所述不饱和官能基团的离型涂层。

12.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述离型层为含硅的离型涂层或者含氟的离型涂层。

13.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述中间层的厚度为1～20纳米。

14.根据权利要求1所述的离型膜，其特征在于，所述基材原膜的厚度小于或等于500微米。