[发明专利]一种真空蒸镀设备有效

专利信息
申请号: 201510325726.7 申请日: 2015-06-11
公开(公告)号: CN104846339B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 王熙元;卜斌;姚固 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 230011 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及蒸镀技术领域,尤其涉及一种真空蒸镀设备。

背景技术

目前,在底发射型OLED的制备过程中,金属阴极的制备需要在真空蒸镀设备中进行,真空蒸镀设备中采用坩埚承装需要蒸镀的金属材料,如OLED中金属阴极的材料一般选择铝材料。

在真空蒸镀形成OLED的金属阴极的过程中,熔融态的铝具有浸润坩埚的特性,在蒸镀过程中熔融状态的铝容易沿着坩埚壁爬行从而溢出坩埚,导致降温时伴随铝的凝固容易将坩埚和附近物体粘连在一起从而导致坩埚损坏;并且,蒸镀过程中坩埚所处环境中的工艺温度高达1100℃~1200℃,坩埚在此高温下工作时在升降温过程中由于冷热冲击而容易产生微裂纹,进一步使用会导致微裂纹扩展而使坩埚产生宏观裂纹进而碎裂。

但是,由于铝材料的侵润和“爬行”特性,每一次蒸镀结束后都要进行空烧操作以将坩埚中剩余的铝全部蒸发完后才能降温。坩埚在经过空烧操作后,一般为了确保没有裂纹在重新装填材料之前会打开真空腔,使坩埚暴露在大气环境中进行人工肉眼确认,从而导致坩埚频繁地在高温和低温两种状态之间转换,增加了坩埚产生微裂纹的风险;并且,上述确认坩埚是否发生微裂纹的方法中,人眼目视检查的准确性低,出错概率高,导致预估坩埚的寿命偏保守,实际生产中更换坩埚的时间间隔缩短,增加了生产准备时间,增加了生产成本。

发明内容

本发明提供了一种真空蒸镀设备,该真空蒸镀设备内有在线检测和更换坩埚的装置,利用断层扫描技术准确检测出坩埚内部和表面的微裂纹的尺寸及位置,便于真空环境中在线将已损坏的坩埚更换为新品。

为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:

一种真空蒸镀设备,包括壳体,所述壳体形成主真空腔和侧真空腔,所述侧真空腔内设有用于检测待测量坩埚的断层检测模块、取放主真空腔内坩埚的机械手,还包括设置于所述主真空腔和侧真空腔之间的开关组件,所述开关组件打开时连通所述主真空腔和侧真空腔、且关闭时隔离所述主真空腔和侧真空腔。

上述真空蒸镀设备中,在一次蒸镀完成后,需要对主真空腔内的坩埚进行检测时,先将侧真空室抽真空,待侧真空腔内的真空度接近主真空腔时打开开关组件,机械手自侧真空腔内伸入主真空腔内将坩埚放入侧真空腔内,通过断层检测模块对坩埚进行检测坩埚内部和表面的微裂纹的尺寸和位置。上述真空蒸镀设备能够在不破坏主真空腔内真空度的前提下对坩埚进行在线检测,不影响主真空腔的正常生产流程,并且能够通过断层检测模块对坩埚进行检测以确定被检测的坩埚内是否存在微裂纹,对坩埚的检测精度较高。并且,上述真空蒸镀设备在对主真空腔内的坩埚进行检测时不需要破坏主真空腔的真空环境,能够使每一个坩埚的使用寿命得到最长的使用,延长实际生产中更换坩埚的时间间隔,减少了生产准备时间,进而降低了生产成本。

优选地,所述开关组件为插板真空阀。

优选地,所述断层检测模块包括采集坩埚微裂纹信息的扫描单元,与所述扫描单元信号连接、根据所述扫描单元扫描到的信息判断坩埚中是否存在微裂纹的处理单元。

优选地,所述扫描单元为X射线扫描装置。

优选地,所述处理单元用于将接收到的所述扫描单元采集的信息转换为图像信息。

优选地,还包括与所述处理单元信号连接以对所述图像信息进行显示的显示单元。

优选地,所述侧真空腔内设有导轨,所述机械手安装于所述导轨。

优选地,所述机械手包括与所述导轨滑动配合的滑块、设置于所述滑块的伸缩臂、安装于所述伸缩臂末端的坩埚衔取装置,还包括位于所述侧真空腔内的坩埚架。

优选地,所述侧真空腔与主真空腔并联分布。

附图说明

图1为本发明提供的真空蒸镀设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

如图1所示,本发明实施例提供的真空蒸镀设备包括壳体15,壳体形成主真空腔2和侧真空腔4,侧真空腔4内设有用于检测待测量坩埚1的断层检测模块9、取放主真空腔内坩埚的机械手6,设置于主真空腔2和侧真空腔4之间的开关组件3,开关组件3打开时连通主真空腔2和侧真空腔4、且关闭时隔离主真空腔2和侧真空腔4。

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