[发明专利]用于对衬底上的结构进行曝光的方法和装置

说明书

本公开涉及用于对衬底上的结构进行曝光的方法和装置。一种用于对衬底上的结构进行曝光的方法，包括将不变掩模版和可编程掩模版定位在光源和将被曝光于光的衬底上的层之间的光路中，以及通过使来自光源的光穿过不变掩模版和可编程掩模版来对衬底上的层进行曝光。

技术领域

实施例涉及光刻制造工艺并且特别地涉及一种用于对衬底上的结构进行曝光的方法和装置。

背景技术

可以采用各种方式完成对将在衬底上制造的结构的曝光。通常利用不同的不变掩模版来对衬底上的不同层进行曝光。备选地，通过电子束或离子束写入装置可以实现无掩模版曝光。然而，这种电子束或离子束曝光缓慢并且昂贵。期望提供一种用于以低成本对衬底上的结构进行快速曝光的灵活的构思。

发明内容

一些实施例涉及一种用于对衬底上的结构进行曝光的方法。所述方法包括将不变掩模版和可编程掩模版定位在光源和将被曝光于光的衬底上的层之间的光路中，并且通过使来自光源的光穿过不变掩模版和可编程掩模版来对衬底上的层进行曝光。

一些进一步的实施例涉及一种用于对半导体衬底进行曝光的装置，其包括光源、被配置用于承载不变掩模版的第一掩模版载体、被配置用于承载可编程掩模版的第二掩模版载体、以及被配置用于承载衬底的衬底载体。

附图说明

下面将仅通过示例的方式，并且参考附图来对装置和/或方法的一些实施例进行描述，在附图中

图1示出了用于对衬底上的结构进行曝光的方法的流程图；

图2示出了对晶片上的结构进行曝光的示意性图示；

图3示出了用于对衬底上的结构进行曝光的方法的流程图；以及

图4示出了用于对衬底上的结构进行曝光的装置的示意性图示。

具体实施方式

现在将参考其中图示了一些示例实施例的附图更加完全地描述各种示例实施例。在附图中，为了清楚起见线、层和/或区域的厚度可以被夸大。

因此，虽然进一步的实施例能够有各种修改和备选形式，但是其中的一些示例实施例在附图中通过示例的方式被示出并且将在本文中被详细描述。然而，应当理解的是并非意在将示例实施例限制到所公开的特定形式，而是相反，示例实施例应当涵盖落入本公开范围内的所有修改、等同和备选。贯穿附图的描述，相同的附图标记指代相同或相似的元件。

将要理解的是，当元件被提及为“连接”或“耦合”到另一元件时，其可以直接连接或耦合到另一元件或者可以存在中间元件。与此相反，当元件被提及为“直接连接”或“直接耦合”到另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间关系的其他措辞应当以相同的方式来解释(例如，“在…之间”对“直接在…之间”、“邻近”对“直接邻近”等)。

本文所使用的术语的目的在于仅描述特定示例实施例，而并非旨在限制进一步的示例实施例。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”也旨在包括复数形式，除非在上下文中明确相反指出。进一步将理解的是，术语“包含”、“含有”、“包括”和/或“具有”当在本文中使用时，指明出现所陈述的特征、整体、动作、操作、元件和/或部件，但是并不排除出现或附加一个或多个其他特征、整体、动作、操作、元件、组件和/或其群组。

除非另有定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施例所属技术领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。将进一步理解的是，例如在通常使用的辞典中定义的术语应当被解释为具有与其在相关技术领域的上下文下的含义相一致的含义，而不应当以理想化或过于正式的意义解释，除非本文明确如此定义。