[发明专利]电子元器件收纳载带的封装带及其制备方法

权利要求书

1.电子元器件收纳载带的封装带，其特征在于，包括：用于形成封装带主体并提供封装带定型强度的基材层（101）；覆盖在所述基材层（101）之上并吸收所述基材层（101）所产生的震动以稳定封装带的稳定层（103）； 位于所述基材层（101）与所述稳定层（103）之间用来黏接两者的连接层（102）；覆盖在所述稳定层（103）上的中间层（104）；粘合在所述中间层（104）之上的通用粘合层（105），所述通用粘合层（105）可与收纳载带热封且热封后与载带之间的连接力大于与中间层（104）之间的连接力；所述中间层（104）的主成分为：50-80重量份的聚乙烯、30-40重量份的聚苯乙烯、5-15重量份的聚丙烯、10-25重量份的苯乙烯-丁二烯共聚物； 所述通用粘合层（105）为以聚苯乙烯和聚丁二烯加氢得到的乙烯-丁烯为中间弹性嵌段的线性三嵌共聚物或聚异戊二烯和聚苯乙烯加氢得到的共聚物；所述稳定层（103）的主成分为聚乙烯和聚乙烯辛烯共聚弹性体混合物。

2.根据权利要求1所述的封装带，其特征在于，所述中间层（104）的成分中还加有0.5-2重量份的聚乙烯蜡。

3.根据权利要求1所述的封装带，其特征在于，所述中间层（104）的厚度为18μm -25μm；所述连接层（102）的厚度为1μm -2μm；所述稳定层（103）的厚度8μm -15μm。

4.根据权利要求1所述的封装带，其特征在于，还包括覆盖在所述基材层（101）上表面的第一防静电层（106），和覆盖在所述通用粘合层（105）下表面上的第二防静电层（107）；所述第一防静电层（106）的主成分为季铵盐类表面活性剂；所述第二防静电层（107）的主成分聚噻吩导电聚合物。

5.如权利要求1所述的封装带的制备方法，其特征在于，包括步骤（1）将通用粘合层（105）、中间层（104）和稳定层（103）各层原料通过三层共挤方式形成第一层膜；（2）将基材层（101）挤压成型，形成由基材层（101）组成的第二层膜；（３）在第二层膜上涂覆得到连接层（102），将得到的第一层膜的稳定层（103）与连接层（102）黏接，得到封装带。

6.根据权利要求５所述封装带的制备方法，其特征在于，步骤（１）三层共挤时的挤压温度为160～220℃，压力为0.2～0.6MPa。