[发明专利]一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺在审
| 申请号： | 201510336492.6 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104944467A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李贵生;王文超;李恩杰;王占廷 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00;B01J21/06 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 氧化 纳米 有序 阵列 薄膜 剥离 工艺 | ||
1.一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将钛的前驱体溶于溶剂，得到钛的前驱体溶液，并搅拌；
(2)在钛的前驱体溶液中对称倾斜放置两片洗净的FTO导电玻璃，放入水热釜中进行水热处理，冷却后，取出FTO导电玻璃，直接得到附着在FTO导电玻璃上的导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(1)所述的钛的前驱体为钛酸异丙酯。
3.根据权利要求1所述的一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(1)所述的溶剂为浓盐酸和水体积比为1:1的混合溶液。
4.根据权利要求3所述的一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，所述的浓盐酸质量浓度为36～38％。
5.根据权利要求1所述的一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(1)所述的钛的前驱体与溶剂的体积比为1:(40～50)。
6.根据权利要求1所述的一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(2)中所述的FTO导电玻璃使用前分别在丙酮、水、乙醇三种溶液中超声处理。
7.根据权利要求1所述的一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(2)中，水热处理的温度为155℃，水热处理时间为7～36h。
8.根据权利要求1所述的一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(2)中，钛的前驱体溶液占水热釜内衬的体积比为60～63％。
9.根据权利要求1所述的一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述的水热釜采用聚四氟乙烯内衬。
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