[发明专利]一种超光滑高压半导电内屏蔽料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510340068.9 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105038057A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 谢学亮 | 申请（专利权）人： | 天津市安正电力高分子材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L31/04 | 分类号： | C08L31/04;C08L91/00;C08K13/02;C08K3/04;C08K5/11;C08K5/14 |
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| 地址： | 300401 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光滑 高压 导电 屏蔽 料及 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超光滑高压半导电内屏蔽料及其制备方法，由基材、导电碳黑、增塑剂、润滑剂、抗氧剂及交联剂组成，其特征在于，按其重量份数计，基材55-60、导电碳黑36-40、增粘剂0.8-1、润滑剂2-7、抗氧剂0.2-0.3，交联剂1.5-2；
所述基材为EVA乳液，所述EVA为EVA250、EVA450、EVA-A701和EVA-A702中的一种或几种的混合物。
2.根据权利要求1所述一种超光滑高压半导电内屏蔽料及其制备方法，其特征在于屏蔽料制备工艺的具体步骤：
(1)局部百级净化条件下，将交联剂与抗氧化剂按比例混合后，加热到120-130℃熔融后，过300目筛使用；
(2)将过筛后的交联剂和抗氧化剂混合物与EVA、增塑剂、润滑剂按照配比置入高速捏合机中加热进行高速搅拌；
(3)将搅拌均匀的混合原料直接进入双螺杆造料机进行挤出造料；
(4)挤出造料的成品送入DCP喷淋塔中，进行DCP浸润处理；
(5)待DCP完全被造粒后的成品吸收后，下料包装；
(6)上述制备洁净级别为千级洁净车间。
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