[发明专利]嵌入式封装装置

权利要求书

1.一种嵌入式封装装置，包括：

一导线架；

一第一半导体元件，设置于该导线架上；

一第二半导体元件，设置于该导线架上，且电性连接该第一半导体元件；

一无源元件，设置于该导线架上，且电性连接该第一半导体元件及该第二半导体元件；

一第一介电层，形成于该导线架上，且覆盖该第一半导体元件、该第二半导体元件及该无源元件；

多个第一导电柱，形成于该第一介电层中；以及

一第一导电膜，形成于该第一介电层上，且透过该些第一导电柱电性连接该第二半导体元件及该导线架的至少其中之一；

其中，该第一半导体元件及该第二半导体元件的至少其中之一以覆晶方式安装于该导线架上。

2.如权利要求1所述的嵌入式封装装置，还包括：

一第二介电层，形成于该第一介电层上，且覆盖该第一导电膜；

多个第二导电柱，形成于该第二介电层中，且电性连接该些第一导电柱的一部分；以及

一第二导电膜，形成于该第二介电层上，且透过该些第二导电柱及该些第一导电柱的该部分电性连接该第一半导体元件。

3.如权利要求1所述的嵌入式封装装置，其中该第一半导体元件为具有一第一源极接垫、一第一漏极接垫及一第一栅极接垫的一高电压开关，该第二半导体元件为具有一第二源极接垫、一第二漏极接垫及一第二栅极接垫的一低电压开关。

4.如权利要求3所述的嵌入式封装装置，其中该高电压开关具有多个并联的高电压晶体管，且每一个高电压晶体管具有与该第一源极接垫电性连接的一第一源极、与该第一漏极接垫电性连接的一第一漏极及与该第一栅极接垫电性连接的一第一栅极，其中该低电压开关具有多个并联的低电压晶体管，且每一个低电压晶体管具有与该第二源极接垫电性连接的一第二源极、与该第二漏极接垫电性连接的一第二漏极及与该第二栅极接垫电性连接的一第二栅极。

5.如权利要求3所述的嵌入式封装装置，其中该导线架具有一第一部分、一第二部分、一第三部分及一第四部分，该导线架的该第一部分电性连接该第一漏极接垫，该导线架的该第二部分电性连接该第一栅极接垫及该第二源极接垫，该导线架的该第三部分电性连接该第一源极接垫及该第二漏极接垫，且该导线架的该第四部分电性连接该第二栅极接垫。

6.如权利要求5所述的嵌入式封装装置，其中该第一导电膜具有一第一部分及一第二部分，该第一导电膜的该第一部分电性连接该第二栅极接垫，且该第一导电膜的该第二部分电性连接该第二源极接垫。

7.如权利要求6所述的嵌入式封装装置，其中该第一导电膜还具有一第三部分，且该第一导电膜的该第三部分电性连接该第二源极接垫。

8.如权利要求4所述的嵌入式封装装置，其中该高电压开关为一横向型元件，且该些高电压晶体管为含氮的高电子移动率晶体管。

9.如权利要求4所述的嵌入式封装装置，其中该低电压开关为具有相对的一第一表面及一第二表面的一纵向型元件，该第二漏极接垫设置于邻近于该导线架的该第二表面上，且该第二源极接垫及该第二栅极接垫设置于该第一表面上。

10.如权利要求3所述的嵌入式封装装置，其中该无源元件具有一第一端子及一第二端子，该第一端子电性连接该第二漏极接垫及该第一源极接垫，且该第二端子电性连接该第二源极接垫及该第一栅极接垫。

11.如权利要求3所述的嵌入式封装装置，其中该第一源极接垫及该第二漏极接垫透过该导线架电性连接，且该第一栅极接垫及该第二源极接垫透过该导线架及该些第一导电柱电性连接。

12.如权利要求3所述的嵌入式封装装置，还包括一驱动芯片，设置于该导线架上，且电性连接该第二栅极接垫。