[发明专利]嵌入式封装装置

说明书

一种嵌入式封装装置，包括导线架、第一半导体元件、第二半导体元件、无源元件以及第一介电层。导线架形成有沉孔。第一半导体元件及第二半导体元件设置于导线架上，并透过导线架相互电性连接。第二半导体元件与第一半导体元件具有不同厚度，且第一半导体元件或第二半导体元件设置于导线架的沉孔内，使得第二半导体元件及第一半导体元件的上表面具有相同高度。无源元件设置于导线架上。第一介电层形成于导线架上，且覆盖第一半导体元件、第二半导体元件及无源元件。

技术领域

本发明关于一种嵌入式封装装置；特别关于一种嵌入式封装装置，包括至少两个具有不同厚度的电子元件。

背景技术

嵌入式电子封装技术(embedded electronic packaging technologies)可降低装置的尺寸及成本，且对于各式电子产品皆具有高整合能力，因此发展相当快速。

然而，对现有的嵌入式封装技术而言，封装多个具有不同厚度的电子元件仍为一挑战。举例来说，为了覆盖及电性隔离该些具有不同厚度的电子元件，需要提供具有较大厚度的介电层(dielectric layer)，如此将妨碍嵌入式封装装置的微型化。此外，由于该些电子元件具有不同厚度，因而亦导致嵌入式封装装置的内部线路层(internal wiringlayer)的制作变得复杂。再者，传统嵌入式封装装置的热量逸散能力亦不佳。

发明内容

有鉴于前述现有问题点，本发明一实施例中提供一种嵌入式封装装置，包括一导线架、一第一半导体元件、一第二半导体元件、一无源元件、一第一介电层、多个第一导电柱以及一第一导电膜。第一半导体元件设置于导线架上。第二半导体元件设置于导线架上，且电性连接第一半导体元件。无源元件设置于导线架上，且电性连接第一半导体元件及第二半导体元件。第一介电层形成于导线架上，且覆盖第一半导体元件、第二半导体元件及无源元件。多个第一导电柱形成于第一介电层中。第一导电膜形成于第一介电层上，且透过该些第一导电柱电性连接第二半导体元件及导线架的至少其中之一。其中，第一半导体元件及第二半导体元件的至少其中之一以覆晶方式安装于导线架上。

本发明另一实施例中提供一种嵌入式封装装置，包括一导线架、一第一半导体元件、一第二半导体元件、一无源元件以及一第一介电层。导线架形成有一沉孔。第一半导体元件设置于导线架上。第二半导体元件设置于导线架上，且透过导线架电性连接第一半导体元件。其中，第二半导体元件及第一半导体元件具有不同厚度，且第一半导体元件或第二半导体元件设置于导线架的沉孔内，使得第二半导体元件及第一半导体元件的上表面具有相同高度。无源元件设置于导线架上。第一介电层形成于导线架上，且覆盖第一半导体元件、第二半导体元件及无源元件。

本发明另一实施例中提供一种嵌入式封装装置，包括一导线架、一高电压开关、一低电压开关、一无源元件、一第一介电层、多个第一导电柱以及一第一导电膜。导线架具有一第一部分、一第二部分、一第三部分及一第四部分。高电压开关设置于导线架上，且具有与导线架的第一部分电性连接的一第一漏极接垫、与导线架的第二部分电性连接的一第一栅极接垫及与导线架的第三部分电性连接的一第一源极接垫。低电压开关设置于导线架上，且具有与导线架的第三部分电性连接的一第二漏极接垫、与导线架的第四部分电性连接的一第二栅极接垫及与导线架的第二部分电性连接的一第二源极接垫。无源元件设置于导线架上，且具有与导线架的第二部分电性连接的一第一端子及与导线架的第三部分电性连接的一第二端子。第一介电层形成于导线架上，且覆盖高电压开关、低电压开关及无源元件。多个第一导电柱形成于第一介电层中。第一导电膜形成于第一介电层上，且透过该些第一导电柱电性连接低电压开关及导线架。

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

图1表示根据本发明一实施例的嵌入式封装装置的爆炸图。

图2表示图1中的导线架、第一半导体元件、第二半导体元件及无源元件的放大图。