[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和

在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间的第一抗电流泄漏层，

其中，所述第一导电类型半导体层包括通过平坦的上表面相互隔开的多个沟槽，所述沟槽具有V形状的截面，

其中，所述有源层的一部分被布置在所述沟槽中，

其中，所述第一抗电流泄漏层被填充到由所述沟槽下沉的区域并且在所述沟槽上具有平坦的上表面，

其中，通过交替地堆叠多个阱层和多个势垒层来形成所述有源层，

其中，所述第一导电类型半导体层包括p型掺杂物，以及所述第二导电类型半导体层和所述第一抗电流泄漏层包括n型掺杂物，以及

其中，所述第一抗电流泄漏层包括In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0<x≤0.03，0<y<1，0<x+y<1。

2.根据权利要求1所述的发光器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的未掺杂的半导体层；

在所述未掺杂的半导体层上的沟槽形成层；

在所述沟槽形成层上的超晶格结构层；

第一电极，所述第一电极形成在所述第一导电类型半导体层的暴露的部分上；以及

第二电极，所述第二电极形成在所述第二导电类型半导体层上，以及

其中，所述超晶格结构层被布置在所述沟槽形成层和所述第一导电类型半导体层之间。

3.一种发光器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的未掺杂的半导体层；

在所述未掺杂的半导体层上的沟槽形成层；

在所述沟槽形成层上的超晶格结构层；

发光结构，所述发光结构包括在所述超晶格结构层上的第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和

在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层，

其中，所述第一导电类型半导体层包括在平坦的上表面上相互隔开的多个沟槽，所述沟槽具有V形状的截面，

其中，所述有源层的一部分被布置在所述沟槽中，

其中，所述抗电流泄漏层包括布置在所述有源层上的第一抗电流泄漏层和布置在所述第一抗电流泄漏层上的第二抗电流泄漏层，

其中，所述第一抗电流泄漏层被填充到由所述沟槽下沉的区域并且在所述沟槽上具有平坦的上表面，

其中，通过交替地堆叠多个阱层和多个势垒层来形成所述有源层，

其中，所述第一抗电流泄漏层包括In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0<x≤0.03，0<y<1，0<x+y<1，以及

其中，所述第二抗电流泄漏层具有超晶格结构。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一导电类型半导体层包括p型掺杂物，以及所述第二导电类型半导体层和所述第一抗电流泄漏层包括n型掺杂物，

其中，所述第二抗电流泄漏层具有重复地堆叠被掺杂有n型掺杂物的AlGaN和GaN层若干次的超晶格结构。

5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，朝着所述第一导电类型半导体层的内部，所述沟槽的宽度逐渐地减少。

6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述沟槽在平面图的一个方向上伸长。

7.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述多个阱层具有In_xGa_1-xN的组成式，其中0.15≤x≤1，并且所述多个势垒层具有In_yGa_1-yN的组成式，其中0<y≤0.03。

8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述有源层在所述第一导电类型半导体层的平坦的上表面上具有平坦的区域。